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第二章 半导体基本器件 uBE ＞Uon 饱和区 uCE ＜ uBE + 饱和条件： uBE ＞Uon uCE ＜ uBE 特点： IC ＜ βIB ， uCE＝UCES≤0.3V， c ~ e 之间相当于闭合的开关。 饱和条件： uBE ＞Uon uCE ＜ uBE 特点： IC ＜ β IB ，uCE＝UCES≤0.3V， c ~ e 之间相当于闭合的开关。 截止条件： uBE Uon(0.5V) 特点： IB=0， IC≈0 c ~ e 之间相当于断开的开关。 截止和饱和两个状态通称为开关状态。 2.2.2 三极管的主要参数及应用 Ib Ic 1 共发射极电流放大系数? ?= 20-200 三极管的主要参数 2 击穿电压 Ucbo,Uceo,Uebo 例如：Uebo=6V Uebo 三极管的主要参数 Ib Ic 3 最大电流ICM, 最大功率PCM Icm=600mA;PcM=625mW 设工作电流