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第一节 概述 第二节 固态图像传感器的分类及其原理 第三节 固态图像传感器的应用;;体积小，重量轻，功耗低，耐冲击，可靠，寿命长； 扫描线性，畸变小，重复性好，适用于尺寸测量、定位和图像传感等方面； 光谱响应范围较广，从近紫外到近红外； 空间分辨率高，像元间距的几何位置精确，可以获得很高的定位与测量精度； 与微机接口容易实现。 ;组成：;驱动电路 ; 从使用观点，可将固态图像分为线型和面型固态两类。线型固态图像传感器主要用于测试、传真和光学文字识别技术等方面，面型固态图像传感器的发展方向主要用作磁带录像的小型照相机。根据所用的敏感器件不同，又可分为 CCD传感器 、CID传感器、SSPD传感器、CCPD传感器等。其中，CCD是应用最广泛的一种。; 1.CCD的基本介绍; 经过多次试验，贝尔实验室的波意耳（W.S.Boyle)和史密斯（G.E.Smith)于1970年终于解决了上述难题。他们采用一种高感光度的半导体材料，将光线照射导致的电信号变化转换成数字信号，使得其高效存储﹑编辑﹑传输都成为可能。由于它有光电转换﹑信息存储﹑延时和将电信号按顺序传送等功能，且集成度高﹑功耗低，因此随后得到飞速发展，是图像采集及数字化处理必不可少的关键器件，广泛应用于科学﹑教育﹑医学﹑商业﹑工业﹑军事和消费领域。;“CCD是数码相机的电子眼,它革新了摄影术。现在光可以被电子化记录,取代了胶片。这一数字形式极大地方便了对图像的处理和发送。无论是我们大海中深邃之地,还是宇宙中的遥远之处,它都能给我们带来水晶般清晰的影像”。;1970年，Boyle(左)和Smith(右)在测试用最初状态的CCD元件组装的简易拍摄装置。; 一个完整的CCD器件由光敏单元﹑转移栅﹑移位寄存器及一些辅助输入﹑输出电路组成。 CCD是一种新型的MOS型半导体器件，是在N型或P型硅衬底上生长一薄层二氧化硅，然后在二氧化硅薄层上依一定次序沉积金属电极，形成规则排列的金属氧化物（MOS）电容器阵列,再根据不同要求加上输入输出端，就构成了CCD。如图2-1所示为64位CCD结构，每个光敏元（像素）对应3个相邻的转移栅电极1、2、3，所有电极彼此间离得足够近，以保证硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。;;2.CCD的基本原理; 如图2-2所示为热氧化P型Si衬底上沉积金属而构成的MOS电容器的单元结构图，若在某一时刻给它的金属电极加上正向电压U，P-Si中的多数载流子(此时是空穴)便会受到排斥，于是在Si表面处就会形成一个耗尽区。这个耗尽区与普通的PN结一样．同样也是电离受阻构成的空间电荷区。并且在一定条件下，U越大，耗尽层就越深。这时，Si表面吸收少数载流子(此时是电子)的势(即表面势V)也就越大。显而易见，这时的MOS电容器所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。据此，恰好可以利用“表面势阱”(简称势阱)这一形象比喻来说明MOS电容器在V作用下存储(信号)电荷的能力。;图2-2 MOS电容器原理结构图; 表面势V是一个非常重要的物理量。在如图2-3所示的情况下，若所加U不超过某限定值时，则表面势为;(2) 转移栅实行转移的工作原理;图2-3 3个时钟脉冲的时序; t2时刻，Φ1的高电平有所下降，Φ2变为高电平，而Φ3仍是低电平。这样在电极2下面势阱最深，且和电极l下面势阱交迭，因此储存在电极1下面势阱中的电荷逐渐扩散漂移到电极2下的势阱区。由于电极3上的高电平无变化，因此扔高筑势垒，势阱里的电荷不能往电极3下扩散或漂移。;图2-4 完成一次转移的过程;(3) 输入输出; 一个MOS光敏单元称为一个像素，通常的CCD器件是在半导体硅片上制有几百或几千个相互独立排列规则的MOS光敏元，即光敏元阵列，然后在光线照射下产生光生载流子的信号电荷，这一过程称为光电转换，再使其具备转移信号电荷的自扫描功能，即构成CCD固态图像传感器。; 图2-5 CCD构成图 （a）MOS光敏单元 （b）CCD单元列阵;3.CCD的分类; (1) 线阵CCD图像传感器 最简单的线性固态图像传感器是单通道式的，如图2-6所示是其结构示意图。它包括感光区和传输区两部分：感光区是由一列光敏单元组成；传输区是由转移栅及一列移寄位存器组成。光照产生的信号电荷存储于感光区的势阱中，接通转移栅，信号电荷流入传输区。传输区是遮光的，以防止因光生噪声电荷的干扰而导致图像模糊。;图2-6 单通道线型图像传感器的结构; 为了减少信号电荷在转移过程中的损失，转移的次数应尽量少，因此，通常采用双通道式固态图像传感器。双通道式固态图像传感器如图2-7所示，有两个