触发电路公开课.pptVIP

典型全控型器件的驱动电路 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 典型全控型器件的驱动电路 GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般在整个导通期间施加正门极电流。 使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力（比普通晶闸管承受du/dt的能力差，若阳极电压上升率较高时会误触发）。 典型全控型器件的驱动电路 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 典型的直接耦合式GTO驱动电路： 典型全控型器件的驱动电路 2. 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 典型全控型器件的驱动电路 1) 电力MOSFET的一种驱动电路： 电气隔离和晶体管放大电路两部分 典型全控型器件的驱动电路 2) IGBT的驱动：多采用专用的混合集成驱动器 IGBT的缓冲电路 缓冲电路作用分析 无缓冲电路： V开通时电流迅速上升，di/dt很大。 关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。 有缓冲电路： V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢。 V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。 VT的保护 电力电子器件器件的串联和并联使用 晶闸管的串联 晶闸管的并联 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用。 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿。 晶闸管的串联 静态均压措施： 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。 晶闸管的串联 动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件。 用RC并联支路作动态均压。 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异。 晶闸管的并联 目的：多个器件并联来承担较大的电流 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。 ?均流措施： 挑选特性参数尽量一致的器件。 采用均流电阻和均流电抗器。 用门极强脉冲触发也有助于动态均流。 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 电力MOSFET并联运行的特点 Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。 电路走线和布局应尽量对称。 可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。 ??IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数。 在以上的区段则具有正温度系数。 并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 2.8.3 触发电路的定相 当采用KC04集成触发电路时，在同步电压中找不到滞后主电路电压30度的同步电压。 可对同步电压进行R-C滤波（30?） KC04触发电路三相桥各晶闸管的同步电压 （R-C滤波滞后30?） 晶闸管 VT1 VT4 VT3 VT6 VT5 VT2 主电路电压 +ua +ub +uc 同步电压 usa usb usc 推荐的GTO门极电压电流波形 O t t O u G i G 1. 电流驱动型器件的驱动电路 图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路 二极管VD1和C1提供+5V电压；VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压；VD4和C4提供-15V电压 V1开通时输出正强脉冲； V2开通时输出正脉冲平顶部分 V2关断而V3开通时输出负脉