半导体器件物理（pn结及金属半导体接触）.pptVIP

金属-半导体接触势垒 由于金属与半导体的功函数不同，它们相互紧密接触时，会产生接触电势差。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 当它们紧密接触时，电子会从费米能级高的地方向低的地方流动，所以半导体中电子会向金属中流动，使金属表面荷负电，电子能量提高，而半导体表面形成正的空间电荷区；当整个系统达到平衡时，金属和半导体形成统一的费米能级。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 此时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷层，使得半导体侧电子能量提高；在空间电荷区中表面附近能带向下弯曲，电子浓度将比体内的平衡浓度大得多，它是多子（电子)积累层，是一个高电导层；这种情况下，多子（电子）在两种材料中的相互转移，不需要越过势垒就可以运动到对方，通常称为多子反阻挡层。 肖特基二极管和pn结二极管的比较： 1）pn结正向是少数载流子注入，反向是少数载流子抽取。 肖特基势垒电流由多数载流子传导。 2）pn结中由于少子储存效应，影响了开关速度和高频特性。 肖特基势垒中多子并不积累，直接漂走，频率特性不受电荷存储时间的限制，具有更好的高频特性。 3）多子电流远高于少子电流，肖特基势垒中的饱和电流远高于有同样面积的pn结。 对同样的电流，在肖特基势垒上加的电压要少的多。 六、肖特基二极管特性 什么是平衡pn结？ 解释平衡pn结的空间电荷区和载流子分布。 什么是非平衡pn结？ 了解pn结正向偏置与反向偏置的载流子分布以及pn结的特性。 雪崩击穿的机理是什么？ 势垒电容与扩散电容的产生机构是什么？ pn结的开关特性？ 金属-半导体接触类型？ 思考题 * * * 第三章 pn结与金属－半导体接触 主要内容 一、平衡pn结 二、非平衡pn结 三、pn结直流特性 四、pn结电容与交流特性 五、金属－半导体接触· 六、肖特基二极管特性 二极管作用：整流、稳压、变容、发光。 一、平衡PN结二极管 1、PN结的形成 在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上用扩散、外延法或离子注入等方法掺入P型（或N 型）杂质。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 受主离子 施主离子 自建电场 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 空间电荷区及内建电场 内建电场：实际上是组成p-n结的n型材料和p型材料之间的接触电势差。按照多种材料串联接触的电势差在同一温度下只决定于第一种材料和最后一种材料而和中间任何一种材料无关这一性质，不难理解，用普通电表测不出p-n的内建电势；无论画电路图或列电路方程都不应考虑这个电势差。但内建电势影响载流子分布，在研究半导体器件的物理过程时是非常重要。 内建电场和内建电势 2、平衡pn结 （1）扩散流等于漂移流。 （2）pn结的内建电势VD (N型区到P型区的电势差)（接触电势差）） ： 接触电势差，由pn结两边的掺杂浓度决定，与半导体材料的特性相关。 平衡pn结能带图 P区能带相对于n区能带上移的原因： 能带图是按电子的能量高低来画的。由于内建电场，使P区的电子能量在原来能级的基础，迭加上一个由电场引起的附加势能。能带上移的高度即为接触电势差。 在半导体中有电场存在的地方，能带会发生弯曲，朝电场所指的方向上移，电场强度越强，能带弯曲越厉害，电场为零或很弱的地方，能带保持平直。 在空间电荷区边界（xp)处的载流子浓度分别等于p区平衡少子浓度和多子浓度。 在空间电荷区边界（xn)处的载流子浓度分别等于n区平衡少子浓度和多子浓度。 平衡pn结载流子浓度分布 二、非平衡pn结及直流特性 在pn结上施加偏置电压时，pn结处于非平衡状态。 为分析方便，规定p区接电源正极为正向偏置，反之则为反向偏置。 非平衡态下pn结能带图 正向电压 反向电压 1、PN结的正向特性 正向偏置时，扩散大于漂移。 正向电流 P区 N区 正向的PN结电流输运过程 电流传输与转换（载流子的扩散和复合过程） 扩散电流、复合电流 2、 PN结的反向特性 反向偏置时，漂移大于扩散。 反向电流 漂移电流、产生电流 空间电荷区边界少子浓度与