离子注入掺杂ZnO薄膜结构和物性研究-材料科学与工程;材料物理与化学专业论文.docxVIP

I I 摘 要 ZnO 是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在光电子器件领域有着广泛的应用 前景。同时，ZnO 还有望成为稀磁半导体材料。本文采用离子注入的方式将 P 离子分别掺杂到 ZnO 以及 ZnO:B 薄膜中、将 Fe、C 离子依次注入到纯 ZnO 薄膜 中。分别利用 X-射线衍射（XRD）、X-射线光电子能谱（XPS）、光致发光谱（PL）、 紫外-可见吸收谱（UV-vis）以及物理性质测量系统（PPMS）等主要测量手段对 样品的结构、光学、电学和磁性质进行了系统的研究。 首先，采用磁控溅射法生长在石英玻璃上的 ZnO 薄膜电阻率很大。当把能 量/剂量分别为：150 keV/1.5×1015 ions/cm2，80 keV/5.5×1014 ions/cm2，和 35 keV/2.5×1014 ions/cm2 的 P 离子依次注入后样品呈现出空穴导电，但是载流子的 浓度较低。经过 500 oC 退火后，多能量、多剂量 P 离子注入的样品中空穴载流 子的浓度急剧上升，而单能量、单剂量（150 keV/1.5×1015 ions/cm2）P 离子注入 的样品和 ZnO 参考样品表现为 n 型导电。经过 700 oC 退火处理后，各类样品的 电阻率都变得非常大，超过了测量极限。同时我们对各类样品的结构、光学性质 也进行了系统的比较和研究，可能是 PO 和（或）VZn 对多能量、多剂量 P 离子 注入的样品中的电学性质起了重要的影响。 其次，采用 MOCVD 法制备的 ZnO:B 薄膜的结晶质量较高，沿（110）方向 择优生长。将能量 40 keV，剂量 5.0×1014 ions/cm2 的 P 离子注入后，对薄膜的结 构没有造成明显的影响。当注入剂量分别增大到 2.5×1015 ions/cm2 和 1×1016 ions/cm2 时，ZnO（110）衍射峰的强度有所降低，半高宽均增大。而且 P 离子注 入之后，样品在可见光区的透射率明显下降。ZnO:B 薄膜的电阻率较低，随着 P 离子剂量的增加，电阻率逐渐增大，当注入剂量达到 1×1016 ions/cm2 时，电阻率 增大到了 0.37 ?cm。 最后，以玻璃为基底的 ZnO 薄膜室温下具有磁性。当把能量为 120 keV，剂 量为 5×1016 ions/cm2 的 Fe 离子注入后，在薄膜中形成了 Fe 的纳米颗粒。颗粒的 形成对磁性没有贡献，反而使得室温下饱和磁矩降低了。当把能量为 20 keV， 剂量为 3×1015 ions/cm2 的 C 离子注入 ZnO 后，薄膜中的磁性也没有增强。但是， 把同样能量和剂量的 Fe、C 离子依次注入的样品中，室温下磁性明显增强。结 合样品的结构、光学性质的变化对室温下饱和磁矩的增强进行了尝试性的解释。 关键词： 离子注入 ZnO 薄膜 电学性质 磁性质 II II （此页有意空白） PAGE PAGE IV ABSTRACT Owing to its wide direct band gap and high exicton binding energy, ZnO has considerable potential for applications in the optoelectronic devices field. In addition, ZnO is also a potential ferromagnetic material arising from carriers at room temperature, and is hopeful to realize diluted magnetic semiconductor material. In this thesis, P ions were implanted into the pure and B doped ZnO films, respectively. Fe and C ions were sequentially implanted into other pure ZnO films. Techniques, such as, X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), photoluminescence (PL), Ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopy and Physical properties measurement system (PPMS) were used to characterize the implantation-induced modifications in structu