宽禁带半导体薄膜制备及其发光性能研究-材料物理与化学专业论文.docx

宽禁带半导体薄膜制备及其发光性能研究 Study on Preparation and Optical Properties of Wide Band-gap Semiconductor Films 姓名：汪 洪 导师：周圣明 教授 专业：材料物理与化学 安徽大学物理与材料科学学院 2008 年 5 月 2 日 I I 摘要 摘 要 在半导体材料的发展中，一般将Si、Ge称为第一代半导体材料，GaAs、InP、 GaP等称为第二代半导体材料，而将宽禁带半导体GaN、ZnO等称为第三代半导 体材料。六方纤锌矿结构的GaN和ZnO材料由于具有独特的光电性能，在发光二 极管、短波长激光器、发光显示器件、光探测器等领域有广泛的应用,成为近年 来国际前沿研究热点之一，受到世界各国广泛关注。 本文采用磁控溅射法、PLD和溶胶－凝胶法在Si(111)、Si(100)、γ -LiAlO2、 玻璃等衬底上沉积了ZnO薄膜，采用金属有机化学气相沉积法在γ -LiAlO2衬底 上制备了GaN薄膜，采用溶胶－凝胶法在玻璃衬底上沉积了掺Al的ZnO薄膜，并 对薄膜的结构和发光性能进行了表征。论文主要包括以下几个方面内容： 1、研究单晶硅和铝酸锂衬底材料与 ZnO 的匹配。采用磁控溅射法在 Si （100）、Si（111）、γ -LiAlO2（100）、γ -LiAlO2（301）、γ -LiAlO2（302）衬 底上沉积了 ZnO 薄膜。讨论了 ZnO 薄膜的择优取向和结晶质量与晶格失配率的 关系。并在γ -LiAlO2（301）和（302）衬底上生长出了非极性的 a 面 ZnO 薄膜。 2、采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法和溶胶-凝胶旋转涂敷法制备了 ZnO 薄膜。并讨论了不同制备方法、不同衬底材料、不同衬底温度、及不同后处理 工艺对氧化锌薄膜特性的影响。用脉冲激光沉积法，在γ -LiAlO2(100)衬底上沉 积了高质量的 ZnO 发光薄膜，发光峰（峰位 377nm）半峰全宽仅为 96meV。发 现了生长不均匀的 ZnO 薄膜在光致发光时的反常现象，并分析了可能的原因。 3、用 MOCVD 法在γ -LiAlO2（100）衬底上制备出非极性的 m 面 GaN 薄 膜，在γ -LiAlO2（302）衬底上制备出了非极性的 a 面 GaN 薄膜。而且 GaN 薄 膜样品有很强的紫外发光峰（峰位 363nm），m 面 GaN 薄膜发光峰半峰全宽为 128meV，而 a 面 GaN 薄膜发光峰半峰全宽仅为 102meV。 4、用溶胶-凝胶旋转涂敷法在玻璃衬底上生长了掺Al的和未掺杂的ZnO薄 膜。研究了掺杂对薄膜结构和发光性能的影响。 关键词：ZnO薄膜，GaN薄膜，非极性，LiAlO2，光致发光 II II Abstract Abstract In the development of semiconductors, Si and Ge are categorized to the first generation. GaAs, InP and GaP are categorized to the second generation, while the wide band-gap semiconductor GaN and ZnO are categorized to the third generation. Due to their unique electrical and optical properties, GaN and ZnO materials with hexagonal wurtzite structure have been widely used in light emitting diodes, short wavelength lasers, display devices and optical detectors, etc. Therefore, ZnO and GaN thin films attract considerable, worldwide attentions in the optoelectronic research field. In this paper, ZnO thin films were prepared on Si(111), Si(100),γ -LiAlO2 and glass substrates by the magnetron sputtering, PLD and sol-gel process. GaN thin films were deposited on γ-LiAlO2 substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Dep