X射线探测器课程教学课件.pptxVIP

X射线探测器;一、气体电离辐射探测器;二、闪烁晶体探测器;CsI( Tl) 价格稍低,发光效率高且光谱与光电二极管匹配较好, 但抗辐射能力差, 在高能X 射线照射下, 寿命很短; BGO 闪烁晶体除价格昂贵外, 抗辐射能力太弱; CdWO4闪烁晶体各方面性能较好, 目前普遍被高能工业CT 采用, 但CdWO4闪烁晶体余辉长,且机械加工性能不好, 不宜加工成细长的探测器晶体, 价格也昂贵 ;闪烁晶体探测器原理;1. CdTe、CdZnTe探测器;;2.锂漂移半导体探测器(PIN结); 为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。;四、CCD电耦合器件;势阱产生－势阱合并－电荷转移－电荷共有－电荷转移－势阱及电荷转移一个位置。电荷包的转移是由势阱的不对称和势阱耦合引起的;;谢???！ 请访问X射线技术论坛获取更多相关知识 www.xraytech.pw