栅极天线和NMOS耦合的CMOS太赫兹热探测器的设计与测试-光子学报.PDFVIP

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  • 2019-06-01 发布于天津
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栅极天线和NMOS耦合的CMOS太赫兹热探测器的设计与测试-光子学报.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 48 2 Vol.48No.2 年 月 2019 2 Februar2019 ACTAPHOTONICASINICA y 引用格式: , , LIZi-men YANGJiao CHENFei.DesinandMeasurementofCMOSTerahertzThermalDetectorwithGate- g g [] , , (): antennaandNMOSTransistorsJ.ActaPhotonicaSinica 2019 482 0223001 , , [] , , (): 李子蒙 杨娇 陈霏 栅极天线和 耦合的 太赫兹热探测器的设计与测试 光子学报 . NMOS CMOS J. 2019482 0223001 栅极天线和NMOS耦合的CMOS太赫兹 热探测器的设计与测试 , , 李子蒙 杨娇 陈霏 ( , ) 天津大学 微电子学院 天津 300072 : 摘 要 设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器 探测器由片上天线和温度传感器耦合而成 天线由 . . , , NMOS温度传感器的栅极组成 吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热 生成的热量引起的温度变化 、 、 , 由温度传感器探测 整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收 波 热转换 热 电转换三个过程 并分别 . - - , , / , / 进行了建模分析 仿真得到天线吸收率为0.897热转换效率为 165K W 热电转换效率为 1.77mV K. , 探测器基于 工艺设计 工艺处理后将硅衬底打薄至 探测器在 太赫兹环 CMOS0.18 m 300 m. 3THz μ μ , , / , / 境下 入射功率为1mW 时 电压响应率仿真值为262mV W 测试值为148.83mV W. : ; ; ;

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