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- 2019-05-27 发布于广西
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第一章 半导体二极管 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 二极管基本应用 二. 二极管的模型及近似分析计算 例: I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V;锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例: 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 例:二极管构成的限幅电路如图所示,R=1kΩ,UREF=2V,输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号,分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解:(1)采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 (2)如果ui为幅度±4V的交流三角波,波形如图(b)所示,分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解:①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析,波形如图所示。 二极管:死区电压
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