第5章-三极管的时间与频率特性.pptVIP

5.1 P-n结的开关特性 耗尽层电容充电时间 当一个二极管从关（零片或反偏）到开（正偏），需要一定的时间才能达到稳定状态。这个时间与耗尽层电容的充电及过剩少数载流子充满n区或p区有关。 当一个二极管从开（正偏）到关（零片或反偏），同样也需要一定的时间才能达到稳定状态。这个时间与耗尽层电容的放电及n区或p区的过剩少数载流子有关。 如Cd=1fF/?m2，从关到开，从开到关电压摆幅为1V，电流密度为1mA//?m2，充放电时间CdV/J约为10-12s。 耗尽层电容的充放电时间比p和n区少子的充放电时间要短得多。 5.1.1基区过剩少数载流子和基区充电时间---长基区二极管 n+—p二极管，基区宽度为w（p区）；正偏时，少子注入基区。 长基区二极管：少子随距离的增加指数下降，到达x=W处，所有少子均被复合。 基区过剩少子（电子）电量QB： （2.119） （2.107）