第9章半导体二极管和三极管..pptVIP

第 9 章 半导体二极管和三极管 一、本征半导体 三、PN结的形成 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 二极管电路分析举例 三、 主要参数 二、电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数 ，? 硅管0.5V, 锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的