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* * * * * * * * * * 对: ,即非相对论情况 ,经典电子散射截面,又称Thomson截面。 对: ,即相对论情况 对: 与吸收限有关,在吸收限 处出现阶跃而成锯齿状。 * 光电效应截面小结: 对于选择探测器的材料的提示: 对防护、屏蔽?射线的提示: (1) 与吸收材料Z的关系 ?光子能量越高,光电效应截面越小。 (2) 与射线能量的关系 采用高原子序数的材料,可提高探测效率。 采用高Z材料可以有效阻挡?射线。 * 3) 光电子的角分布 光电子的角分布代表进入平均角度为 ? 方向的单位立体角内的光电子数的比例。 相对于入射?光子方向的角度。 + + + * 在不同出射方向光电子的产额是不同的,这种截面对于空间的微分,也就是微分截面。 光电子角分布的特点: (1) 在 ?=0? 和 ?=180? 方向没有光电子飞出; (2) 光电子在哪一角度出现最大概率与入射光子能量有关;当入射光子能量低时,光电子趋于垂直方向发射,当光子能量较高时,光电子趋于向前发射。 * 2、康普顿效应 Compton Effect 康普顿效应是?射线(光子)与核外电子的非弹性碰撞过程。在作用过程中,入射光子的一部分能量转移给电子,使它脱离原子成为反冲电子,而光子受到散射,其运动方向和能量都发生变化,称为散射光子。 康普顿散射可近似为光子与自由电子发生相互作用(弹性碰撞)。康普顿效应主要发生在原子中结合的最松的外层电子上。 * 1) 反冲电子与散射光子的能量与散射角及入射光子能量之间的关系 光子的能量: 电子的动能: 光子的动量: 电子的动量: 相对论关系: * 由能量守恒 由动量守恒 可得到: 散射光子能量: 反冲电子能量: 反冲角: * 小结: (1) 散射角 ?=0? 时, 表明:入射光子从电子旁边掠过,未受到散射,光子未发生变化。 (2) 散射角 ?=180? 时,散射光子能量最小,而反冲电子能量最大。 * 当h? m0c2时,Ee ~ h? 。 (4) 当h? m0c2时,h? ? ~ h? ,汤姆孙散射。 (3) 散射角与反冲角存在一一对应的关系。 * 2)康普顿散射截面和角分布 Klein-Nishina公式: 微分截面: 角分布: * * * 康普顿散射总截面: 整个原子的康普顿散射总截面: 当h? m0c2时, 其中, * 当h? m0c2时, * 3)反冲电子角分布和能量分布 由反冲电子能量和方向与散射光子能量和方向的一一对应关系,可以得到: 由此得到反冲电子微分截面与散射光子微分截面的关系: 可以由散射光子微分截面求得反冲电子微分截面。 * 反冲电子角分布: * 反冲电子能量分布: 与入射光子能量h?相差~200keV。 康普顿边缘: 康普顿坪连续分布。 * 3、电子对效应 Pair Production 电子对效应是当入射?射线(光子)能量较高(1.022MeV)时,当它从原子核旁经过时,在核库仑场的作用下,入射光子转化为一个正电子和一个电子的过程。 电子对效应除涉及入射光子与电子对以外,必须有第三者——原子核的参与,否则不能同时满足能量和动量守恒。电子对效应要求入射光子的能量必须大于1.022MeV。 * 1) 正负电子的能量 由能量守恒: 因此,正负电子的总动能为: 总动能是在电子和正电子之间随机分配的,都可以从 取值。 由动量守恒,电子和正电子应沿着入射光子方向的前向角度发射。 2) 正负电子的运动方向 而且,入射光子的能量越高,正负电子的发射方向越是前倾。 * 当: 时: 3) 电子对效应的截面 电子对效应截面随Z的增加而增加,也随入射粒子的能量的增加而增加。 当: 稍大于 时: * 4) 电子对效应的后续过程 正电子的湮没。 0.511MeV 的湮没辐射 正电子湮没 ?+衰变 电子对效应 分析?能谱时,若发现: * 小结: 低能、高Z,光电效应占优势; 光 电 效 应 康普顿 散 射 电子对 效 应 高能、高Z,电子对效应占优势; 中能、低Z,康普顿散射占优势。 * * 7、物质对?射线的吸收 (1) 窄束?射线强度的衰减规律 ??为光子与吸收物质作用的截面; N为吸收物质单位体积的原子数; I0为?射线入射强度; D为吸收物质厚度。 * 对上面的方程积分: 在t~t+dt层内单位时间光子数的变化为: 等于在该层物质内单位时间发生的作用数。 光子束通过物质时的强度为: 其中: 线性吸收系数 又称为宏观截面 * 质量吸收系数: 质量厚度: 质量吸收系数与物质状态无关。 与带电粒子不同
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