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光伏探测器光电特性实验
光电二极管与光电池是根据光伏效应制成的pn结光电器件,短路电流与入射光强成正比是其一个突出优点,在精确测量光强时常用作光探测器。光敏电阻是基于光电导效应原理工作的半导体光电器件,灵敏度高,体积小,重量轻,常用于自动化技术中的光控电路。
【实验目的】
观测光电二极管的光电特性;
观测光电池的光电特性。
【仪器仪器】
光电二极管,光电池,直流电源,小灯泡(6V,0.15A),数字万用电表两块(其中一块表有直流电流200量程),电阻箱,实验暗箱等。如图1所示。
图1 光伏探测器光电特性实验仪实验装置
技术指标
1.直流电源 0-4V连续可调,显示分辨率0.01V;
2.电阻箱 0-99999.9Ω可调,分辨率0.1Ω;
3.数字万用表 电流测量分辨率0.01(20档);
4.光敏电阻 暗电阻大于4;
5.小灯泡 额定电压6.3V,额定电流0.1A。
6. 传感器移动范围 约17cm
【实验原理】
光伏效应
当光照射在pn结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向n区和p区集结,使pn结两端产生电动势。这一现象称为光伏效应,如图2所示。利用半导体pn结光伏效应可制成光伏探测器,常用的光伏探测器有光电池、光电二极管、光电三极管等。
图2 pn结光伏效应原理图光电池是根据光伏效应制成的pn结光电器件。不需要加偏压就可以把光能转化为电能。光电池的用途,一是用作探测器;二是作为太阳能电池,将太阳能转化为电能。光电池的结构示意图及应用电路如图
图2 pn结光伏效应原理图
(b)(a)
(b)
(a)
图
图3 光电池的结构示意图(a)及基本应用电路(b)
光电池的光照特性主要有伏安特性、入射光强-电流(电压)特性和入射光功率-负载特性。
光照下的pn结特性
光照下pn结的伏安特性曲线如图4所示。无光照时,pn结的伏安特性曲线和普通二极管的一样。有光照时,pn结吸收光能,产生反向光电流,光照越强,光电流越大。
图4 光伏探测器的伏安特性曲线图25-3 光伏探测器的伏安特性曲线光伏器件用作探测器时,需要加反偏压或是不加偏压。不加偏压时,光伏器件工作在图4的第四象限,
图4 光伏探测器的伏安特性曲线
图25-3 光伏探测器的伏安特性曲线
光电池按照光伏模式工作在图4的第四象限。有光照时光电池的电流为
, (1)
式中q为电子电荷量,k为玻尔兹曼常数,T为结温(单位为K),I为总电流,U为光电池的输出电压,Is为反向饱和电流,IL为光电流。光生电流IL与光照有关,随光照的增大而增大,呈线性关系。
光电池的开路电压和短路电流
在pn结开路时,总电流为零,光电池的输出电压称为开路电压UOC。将代入式(1),即可得到开路电压UOC与光照E的对数成正比。如果将pn结短路,输出电压为零,将代入式(1),即可得到短路电流Isc与入射光照度E成正比。从图4的伏安曲线上也可以得到UOC和Isc,伏安曲线与电压轴的交点为开路电压UOC,与电流轴的交点为短路电流Isc。光电池的短路电流和开路电压与入射光照度的关系如图5所示。
图6 硅光电池的光照伏安特性曲线图5 光电池的开路电压、短路电流与入射光强的关系
图6 硅光电池的光照伏安特性曲线
图5 光电池的开路电压、短路电流与入射光强的关系
短路电流Isc与入射光强成正比是光电池的一个突出优点,因而在精确测量光强时常用光电池作为光探测器。实际测量时都要外接负载电阻RL,当RL相对于光电池的内阻很小时,可以认为接近短路。显然,负载愈小,光电流与照度之间的线性关系愈好,且线性范围愈宽。
光电池的输出功率和负载特性
光电池作为电源使用时,其输出功率与负载电阻RL有关。光电池工作在零偏压下,因此其伏安曲线(图6)是在某一光照下,取不同负载电阻RL测得的输出电压和输出电流绘制而成。
由输出电压和电流数据,可计算得到光电池的输出功率P和负载电阻RL,作输出功率P与负载电阻RL的关系曲线,即可得到光电池的最大输出功率Pmax及相应的负载电阻RL,max。
光电二极管
光电二极管的结构与一般二极管相似,管子封装在透明玻璃外壳中,它的pn结装在管顶,便于接受光的照射。光电二极管的光照特性如前所述,没有光照时,光电二极管的反向电阻很大,反向电流很小(一般为纳安数量级),光电二极管处于截止状态;受光照时光电二极管处于导通状态,光电流的方向与反向电流一致,光线越强,光电流越大。
图7 光电二极管基本应用电路光电二极管可以按光电伏型模式工作(即不加外偏压),也可以按光电导型模式工作(外加反向偏压)。硅光电二极管通常用作检测元件,工作在负偏压下,其光电线性好,而且响应快。基本应用电路如图
图7 光电二极管基本应用电路
【实验内容】
观察光电二极管的光电特性。
用
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