光敏电阻特性实验.docVIP

光 电 探 测 技 术 实 验 报 告 实验一 :光敏电阻特性实验 学号姓名： 实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配） 实验步骤: 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比较分析。 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。 图（2）几种光敏电阻的光谱特性 伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 偏压 2V 4V 6V 8V 10V 12V 光电阻I 光电阻II 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。 光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。 实验结果如下： 暗电阻（ΚΩ） 亮电阻（ΚΩ） 光电阻（ΚΩ） 8.45 5.78 2.67 8.55 5.74 2.81 8.46 5.84 2.62 8.45 5.75 2.70 8.32 5.78 2.54 平均值8.45 5.78 2.67 电源为6V时： 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压（V） 亮电流（μА） 0.15 15 0.21 30 0.176 20 0.34 50 0.266 30 0.63 86 0.16 17.5 0.25 36 0.17 19 0.15 20 平均值0.1844 20.3 0.316 44.4 I暗=V暗/R暗=0.1844V/8.45ΚΩ=2.18*10^（-5）A I亮=V亮/R亮=0.316V/5.78ΚΩ=5.467*10^(-5)A 则：光电流I= I亮—I暗=3.287*10^（-5）A 2V 4V 6V 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 0.07 6 0.06 6 0.152 15 0.11 15 0.215 23 0.16 24 0.162 14 0.105 15 0.327 30 0.217 30 0.488 45 0.346 45 0.145 14 0.116 15 0.308 28 0.233 32 0.466 43 0.351 49 0.144 15 0.107 15 0.311 30 0.211 32 0.488 47 0.310 48 0.174 15 0.106 15 0.343 31 0.220 31 0.528 47 0.321 49 8V 10V 12V 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 暗电压(V) 暗电流（μА） 亮电压(V) 亮电流（μА） 0.315 31 0.22 31 0.354 40 0.28 40 0.42 37 0.33 48 0.633 62 0.439 63 0.782 78 0.53 79 0.81 95 0.604 96 0.618 60 0.477 65 0.782 75 0.577 83 0.818 90 0.81 100 0.620 64 0.425 65 0.822 80 0.520 82 0.895 98 0.050 101 0.615 65 0.415 65 0.717 82 0.524 83 1.000 100 0.680 100 图片：