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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化-中国科学院上海.PDF
第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ，
２９ ７ Ｖｏｌ．２９ Ｎｏ．７
年 月 ，
２０１７ ７ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲ ＬＡＳＥＲ ＡＮＤ ＰＡＲＴＩＣＬＥ ＢＥＡＭＳ Ｊｕｌ． ２０１７
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合
等离子体刻蚀工艺优化＊
１ １ １ １ ２ ２ ３ １
李 欣 ， 刘建朋 ， 陈 烁 ， 张思超 ， 邓 彪 ， 肖体乔 ， 孙 艳 ， 陈宜方
（ ， ；
１．复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 ２００４３３
， ； ， ）
２．中国科学院上海应用物理研究所 上海 ２０１８００ ３．中国科学院上海技术物理研究所 上海 ２０００８３
： （ ， ） （ ）
摘 要 针对氢基硅倍半氧烷 ｈ ｄｒｏ ｅｎｓｉｌｓｅｓｕｉｏｘａｎｅ ＨＳＱ 作为深反应离子刻蚀 ＤＲＩＥ 掩膜形成大
ｙ ｇ ｑ
。 、 ，
高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究 优化了刻蚀工艺中线圈功率 极板功率和气体流量参数 减小了横
， ， ，
向刻蚀 使形貌垂直性得到了更好的控制 并实现了 １３．３ ｍ 高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列 其高
μ
（ ／ ） 。 、
宽比 高度 半高宽 达到了 ３６ 利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸 高度的硅纳米
柱结构。
： ； ； ； ；
关键词 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬 射线
ＨＳＱ Ｘ
中图分类号： 文献标志码： ： ／
ＴＮ４ Ａ ｄｏｉ１０．１１８８４ ＨＰＬＰＢ２０１７２９．１７００２８
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