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第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
26 6 Vol.26 No.6
年 月 ,
2014 6 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jun. 2014
高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增*
1 2 1 1 1 2
宋佰鹏 , 范壮壮 , 苏国强 , 穆海宝 , 张冠军 , 刘纯亮
( ( ), ; ( ), )
1.电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安交通大学 西安 710049 2.电子物理与器件教育部重点实验室 西安交通大学 西安 710049
: ( ) ,
摘 要 为深入研究高功率微波 作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制 探索提高闪络场强阈
HPM
, 。
值的方法和途径 开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究 首先根据动力学方程建立了
, ,
介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子运动轨迹 考虑了矩形槽结构对表面微波电场的影响 理论
。 ( , )
分析表明在闪络击穿的起始和发展阶段矩形槽可有效抑制电子倍增 在 波段 脉宽 下开展
S 2.86GHz 1 s
μ
, , (
了介质窗表面矩形刻槽的击穿破坏试验 试验结果发现表面矩形刻槽可大幅度提高微波传输功率 在槽深 1.0
) ( ) 。
一定时不同的刻槽宽度 和 对应的微波功率抑制范围不同 采用 仿真模拟槽
mm 0.5mm 1.0mm PIC-MC
, 。
内倍增电子的时空演化 仿真结果很好地验证了试验现象
: ; ; ; ;
关键词 高功率微波 二次电子倍增 介质窗 沿面闪络 矩形槽
中图分类号: 文献标志码: : /
TM21 A doi10.11884HPLPB201426.065008
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