电子技术模拟部分第四节半导体三极管.pptVIP

* 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 第四节 半导体三极管 一、三极管的结构与符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 二、三极管的电流放大作用 1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 2. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制 载流子 （以NPN为例） 载流子为自由电子 3、实际偏置电路 Ic IE IB RB EB EC RC N N P 一般参数 EC EB RB RC 三极管的电流分配关系： IE = IB + IC 而且 IC 》IB ， △IC 》△IB IC = ? IB ； IE =