场效应管的放大器.pptVIP

2.用小信号模型进行交流分析 小信号等效电路 （1）电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 US?UG UDS=UDD- US =20-5=15V 例4.4.2 源极输出器 ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输入电阻 ri 输出电阻 ro 加压求流法 g d 微变等效电路 ro ro? R2 R1 RG s RS * * * * * * * * 第5章 场效应管及其基本放大电路 5.1 场效应管 1. 特点: (1)导电能力由电压控制的半导体器件。 (2) 仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。 (3) 体积小、耗电少、寿命长等优点， (4) 输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、 噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 (5)广泛用于大规模及超大规模集成电路。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 2.场效应管分类： N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G栅极 S源极 D漏极 结构: 导电沟道 PN结 5.1.1 结型场效应管: P 沟道结型场效应管 D G S N沟道结型场效应管 D G S 符号： 二、工作原理（以N沟道为例） 当 UDS= 0 V时： UGS * 若加入UGS 0,PN结反偏，耗尽层变厚 * 若UGS = 0,沟道较宽，沟道电阻小 沟道变窄，沟道电阻增大 * 若UGS = VP （夹断电压）时 沟道夹断，沟道电阻很大 |UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型 漏源电压VDS对iD的影响 随VDS增大，这种不均匀性越明显。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。 当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。 * 在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。 由于漏源间有一电位梯度VDS 漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS 源端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS 漏端的耗尽层比源端的耗尽层厚，使沟道呈楔形。 沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。 电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。 4.1.2 伏安特性曲线及参数 1、输出特性曲线： （1）可变电阻区 可变电阻区 条件：源端与漏端沟道都不夹断 特点: 1)当vGS 为定值时, 管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制 。 2)管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点电子开关。 可变电阻区 （2）恒流区：(又称饱和区或放大区） 条件: ②漏端沟道予夹断 ①源端沟道未夹断 ② 恒流性：输出电流 i D 基本上不受输出电压 v DS 的影响。 特点: 受控性： 输入电压 vGS 控制输出电流 用途: 可做放大器和恒流源。 恒流区 可变电阻区 恒流区 夹断区 （3）夹断区： 用途：做无触点电子开关。 条件：整个沟道都夹断 特点： （4）击穿区 当漏源电压增大到 时 V(BR)DS一般为（20— 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的V(BR)DS就越小。管子不能在击穿区工作。 漏端PN结发生雪崩击穿， iD 剧增 击穿区 2、转移特性曲线 －1 －2 －3 －4 －5 VGS ID IDSS VP 输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制 ΔID ΔVGS 转移特性曲线的斜率， gm 的大小反映了VGS对ID的控制作用。 其量纲为mA/V。 gm=?ID/?VGS?Q （mS) 跨导： 结型场效应管的特性小结 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor ) —— MOSFET N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道