其对应的弱衍射斑点位于荧光屏中心.ppt

* 9 弱束暗场成像技术 9.1 原理 完整晶体 缺陷晶体 缺陷晶体的衍射振幅表达式中引入 或 在实际分析中畸变可表达为其它形式： g 的大小和方向的局部微小变化 在Ewald作图法中可表示为 S 的变化 理论推导，缺陷附近有畸变区晶体的偏移参量S/可表达为 S— 无畸变晶体的偏离参量 S/— 缺陷附近有畸变区晶体的偏移参量 畸变区的衍射晶面相对于无畸变区的局部转动引起的偏离参量的增量（晶面转动） 衍射晶面间距变化引起的偏离参量的变化（晶面间距变化），因很小可忽略。 （1） 式（1）可简化为 实际上，取无缺陷处S很大，因之衍射很弱。 但当在缺陷处极小区域（范围）满足 时从而产生强衍射。 一般S很大，S/=0的大应变范围很小。以位错为例，应变区非常靠近位错芯，因之，位错像宽较小，达1.5nm，且位错像的位置更接近于实际位置，约2nm。 衍衬理论给出的衍射强度公式为： （1）θ=θB ，即S = 0时， （2）|θB-θ|0 |s|0时， （3）|θ-θB|0， |s|0 Ig与IT随样品深度的变化情况如图所示 如上述分析，取一缺陷晶体如图所示 CD部分： 尽管Ig很小，Δt=ξg变小，真正的衍射强度大，因为电子束的能量已转移给了衍射束。 AB部分： Igmax很小，周期Δt减小ξg BC部分： Igmax= 1，周期Δt=ξg增大