第6章MOSFET北大微电子课件.pptVIP

微电子器件与IC设计 第6章 MOSFET 　　　　　　主要内容 MOS结构与特性 MOSFET结构与特性 MOSFET工作原理 I-V特性 交流特性 引言 引言 特点 单极器件、多子器件 电压控制器件 噪声低 制作工序少，隔离容易 6.1 MOS结构及其特性 栅极上加负电压，空穴聚集 栅极上加正电压，耗尽 栅极正电压增大，表面反型 6.1 MOS结构及其特性 MOS电容 6.2 MOSFET的结构及其特性 1 MOSFET的基本结构 构成：半导体衬底、氧化层、金属栅极、源／漏扩散区。 6.2 MOSFET的结构及其特性 6.2 MOSFET的结构及其特性 2、MOSFET的类型 6.2 MOSFET的结构及其特性 2、MOSFET的类型 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 3、MOSFET的基本工作原理 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 6.2.2、 MOSFET的基本工作原理 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 6.2.2、 MOSFET的基本工作原理 VDS为常数，IDS～VGS VGS＝0， IDS＝0 VGS＝VT（阈值电压）： VGS ：P型－耗尽层－N反型层 VGS0： 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.2 强反型 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.2 强反型 半导体表