陶瓷基纳米复合材料.PDF

陶瓷基纳米复合材料  1、陶瓷材料的优缺点  （1）优点：  陶瓷具有优良的综合机械性能、耐磨性好、 硬度高以及耐热性和耐腐蚀性好等特点。  （2 ）缺点：最大缺点是脆性大。  2、改进方法  通过往陶瓷中加入或生成纳米级的颗粒、晶 须、晶片、纤维等，提高其韧性、强度、模量。 3、陶瓷基纳米复合材料简介  基体：主要有氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化硅和玻 璃陶瓷等。  基体与纳米级第二相的界面粘结形式：机械粘结和化 学粘结。  界面结合对材料断裂的影响：  强的界面粘结：往往导致脆性破坏，在断裂过程 中，强的界面结合不产生额外的能量消耗。  弱的界面结合：基体中的裂纹扩展至晶须、纤维等 处时，将导致界面脱粘，其后发生裂纹偏转、裂纹搭 桥、晶须及纤维断裂，以致最后拔出。所有这些过程 都要吸收能量，从而提高陶瓷的断裂韧性。 4、陶瓷基纳米复合材料的制备方法  化学气相沉积(CVD)法：陶瓷基纳米复合材料 最早是由化学气相沉积(CVD)法制备的。CVD 工艺对于把纳米级第二相弥散进基体晶粒或晶 界是一种很好的方法。  缺点：CVD工艺不适用于大量制造大尺寸和形 状复杂的制品，而且成本高。  传统的生产陶瓷的工艺:热压烧结、无压烧结、 热等静压(HT)等  新工艺：反应烧结、微波烧结、自蔓延高温合 成法、溶胶·凝胶法、原位复合法等。 （1） 固相法  （A ）热压烧结(HP)  定义：将陶瓷粉体在一定温度和一定压力下进行烧 结，称为热压烧结。  优点：降低烧结温度，产品具有较高致密度，晶粒无 明显长大。  例： SiC /Si N 纳米复合材料的制备 w 3 4  原料：Si N 粉和纳米SiCw晶须 3 4  添加剂：少量 (如MgO等)  步骤：混合均匀，装入石墨模具中，在1600-1700℃的 氢气中热压烧结，压力20～30MPa 。  结果：产品密度可达理论密度的95 。  热等静压(HIP)：属于热压烧结的一种。用金属箔代替 橡胶模具，用气体代替液体，使金属箔内的陶瓷基体 相纳米增强体混合粉末均匀受压。  气体：氦气、氩气等惰性气体；  金属箔：低碳钢、镍、钼等。  压力：100～300MPa ；  温度：从几百度(℃)至2000℃。  也可先无压烧结后再进行热等静压烧结。  优点： HIP法使混合物料受到各向同性的压力，使显 微结构均匀； HIP法施加压力高，在较低温度下即可 烧结。  例 ：氧化铝基复合材料。无压烧结温度为 1800 ℃，热压烧结(HP)温度为1500 ℃，HIP烧 结(400MPa)温度1000℃。  （B ）反应烧结(RS)  定义：将陶瓷基体粉末和增强体纳米粉末混合 均匀，加入粘结剂后压制成所需形状，经高温 加热进行氮化或碳化，反应生成陶瓷基体把纳 米级第二相紧密地结合在一起，从而获得陶瓷 基纳米复合材料的方法。  应用：可以制备氮化硅或碳化硅基纳米复合 材料。  优点：(1)陶瓷基体几乎无收缩；  (2)纳米晶须或纤维的体积分量可以相 当大；  (3)大多数陶瓷的反应烧结温度低于陶 瓷的常规烧结温度，因此可以避免纳米晶须或 纤维的损坏。  例：反应烧结法制备SiC /Si N 纳米复合材料 w 3 4  原料:硅粉，SiCw  步骤：  成型：用一般方法，  预氮化：在N +H 的气氛下预氮化1-1.5h，氮化温 2 2 度为1180～1210℃。预氮化后有一定的强度，可进行 机械加工，以达到所需尺寸。  氮化：在1350～1450℃氮化18-36h ，使所有硅都 变成氮化硅，得到尺寸精确