光纤制造工艺 课件.pptVIP

（二）光纤制造工艺 1. 工艺方法分类 改进的化学汽相沉积法MCVD (Modified Chemical Vapour Deposition） MCVD工艺的关键技术 沉积机理与微粒烧结 OH-控制技术 熔缩成棒 MCVD工艺的优缺点： 等离子体汽相沉积法PCVD  (Plasma Chemical VapourDeposition) PCVD工艺的关键技术 等离子体抛光 熔缩工艺 粘度匹配 PCVD工艺的优缺点： 外汽相沉积法(OVD)Outside Vapour Deposition OVD工艺的关键技术： 疏松棒沉积 对于OVD工艺的沉积速度和沉积效率而言，温度梯度就是关键工艺参数。包括火焰温度、沉积表面的温度、靶棒周围的环境温度等。 疏松棒固化 疏松棒的干燥和烧结过程合并称为固化 疏松棒的烧结 采用区域烧结方式在1400～1600℃将疏松棒烧结成透明棒。区域烧结方式是从一端开始烧结，连续向另一端进行。 外汽相沉积法(OVD)Outside Vapour Deposition OVD工艺的优缺点： 轴向化学气相沉积法(VAD)  Vapour phase Axial Deposition VAD工艺的关键技术： 折射率分布控制技术 RIP→GeO2 浓度→微粒的沉积特性→温度(400-800℃)。 脱水-烧结技术 1)140℃，除去物理吸附水分子。 2)400℃，部分除去化学键OH。 3)800-1200℃，在含10%左右SOCl2或者Cl2的氦气气氛中化学处理，彻底除去化学键接的OH。 VAD工艺烧结过程包括致密化和微孔闭合两个阶段 VAD工艺的优缺点： 二、套管预制棒新技术 2002年以来，德国赫劳斯公司大力开发RIC（Rod In Cylinder）预制棒技术。该技术是传统套管法（Rod In Tube，RIT）的新发展。 用套筒（cylinder）代替管子，表示所用的套筒的壁厚和直径非常大。2003年，采用120mm（直径）×45mm（壁厚）×1500mm（长度）的厚壁合成石英玻璃套管，在旋转式拉管设备中与芯棒在真空条件下合成直径90mm、长度2.4m的大预制棒,并同步拉制出1200km光纤。 2004年2月，德国赫劳斯公司的子公司推出一种降低光纤生产成本的新工艺，称在线RIC工艺。（在线）的意思是指芯棒-套管的熔缩在拉丝时同步进行。MCVD，PCVD，VAD，OVD制造的芯棒都可以利用这种新型RIC大预制棒技术。 三、粉末外包层法 1984年，A．Sarkar博士提出了VAD芯棒与OVD附加外包层相结合的混合工艺。用OVD附加外包层，一般是像普通OVD那样，以芯棒为靶棒进行水平式沉积，也可以把芯棒垂直安装进行沉积。 国际上通常将OVD/VAD之类的火焰水解工艺统称为粉末工艺。1984年后，美国康宁公司将粉末外包技术用于工业化生产，用VAD生产光纤的厂家也用粉末外包技术替代套管法。 1999年以后，粉末外包技术和设备已经有商品，许多用MCVD制造芯棒的厂家也纷纷用粉末外包代替套管法。 目前，采用粉末外包预制棒拉制光纤的数量约占全世界生产的光纤总量的80%。 四、等离子体外包层技术 现在等离子体外包工艺有等离子体喷涂法和等离子体外沉积法。 等离子体喷涂法是由法国阿尔卡特公司开发的。该工艺是以高纯天然石英粉为原料、用高频等离子体在芯棒上熔制外包层的技术。 等离子体外沉积法利用四氯化硅做原料，它是用高频等离子体进行化学气相沉积化合成石英玻璃外包层的技术，尚未普遍应用。 光纤拉丝 拉丝是将已制得的光纤预制棒直径缩小，且保持芯包比和折射率分布不变的操作。 光纤拉制工序的过程就是将前道工序制成的预制棒，通过高温炉将预制棒加热软化，在牵引的作用下拉制成等直径光纤的过程。 光纤直径控制原理 已知在正常状态，若预制棒的馈送速度为V送，光纤的拉丝速度为V拉,预制棒的外径为D，裸光纤的外径为d。 熔化前的棒体容积： [π× (D/2）2](V送× t) 等于熔化拉丝后光纤的容积： [π ×(d/2）2](V拉× t) 化简后关系： V拉=V送 × (D /d)2 预制棒的预处理 预制棒 预制棒和把棒连接 氢氧焰 氢氧焰 拉丝塔工艺控制过程 拉丝塔主要部件介绍（送棒机构） 1 手动控制盒可控制送棒机构可上 下左右移动 2 将预制棒向下送入拉丝炉内，目 测预制棒与拉丝炉的间隙。当发 现其偏离中心位置时，用手动控 制盒上的〔XY位置调整〕按钮进 行调整 X-Y 拉丝塔各部件介绍（拉丝炉） Ar 冷却水 中心管 套管 冷却水：起到冷却炉体、炉顶盖、炉底盖、电极、和夹具的作用，确保冷却水