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考虑EMI之layout一、走线二、VCCGND切割三、EMI相关元件摆放四、接地五、多层板问题一、走线1、走线（高速线处理）A、高速线（CLK，…）避免跨切割，避免走在板边缘（50 mils）和切割线附近，避免走在Slot下方和Via密集处，尽量少换层（优先级从高到低），保证高速线参考面完整。B、CLK绕等长最佳方式，平行线间距量大（至少大于3倍线宽），耦合长度尽量小。（如下图）且不规则绕线或螺旋绕线优于规则蛇型绕线。尽量避免在IC，Slot下方，I\O附近绕线,最好参考面完整处绕线。 2、走线（差分线处理）A、差分走线的回返电流同样会走在参考面，而且大部分在参考面。同样要尽量避免跨切割问题，如下图：B、差分走线的匹配更重要的是线长的匹配，影响要大于间距不等。? ? a.单路信号电磁场分布 ? ? ? b.差分走线电磁场分布3、走线（隔离）A、CLK与IO（30 mils），Power trace＆shape（20 mils）其它有需要外接cable的信号线(30 mils)有间距要求。B、不相干走线（多数指Power trace）尽量远离CLK区域和I/O域，避免被CLK区域干扰和干扰I/O区域。C、AGND与GND区域走线要严格区分，尽量避免有互越现象。D、伴地线对于EMI可有可无，要保证与其他信号线有足够间距即可满足EMI要求（20-30 mils）。但考虑到信号品质要有伴地线，则要打足够的下地Via，间距在800 mils以内。二、VCCGND切割1、切割（I\O）A、Back I\O处VCC与GND切割线尽量保持一致,切割线主要参照零件摆放和走线.一般在Bead下方transformer下方,要求bypass电容GND pin在I\O区内.避免两边走线有互越现象.I\O区内部各I\O间切割线可没有.影响:走线互越不一致.B、Front USB，1394，COM，GAME，Panel处是否切割？视实际情况，若切割会造成很多跨切割，或者使VCC，GND层变的很零碎，则不切割。优点：可以保证VCC，GND的完整性，有低的阻抗。2、切割（CLK）A、一般情况，VCC层切割成CLK-VCC，GND层切割留缺口，或者VCC层切割成GND，GND层不切割。视实际情况，VCC与GND也可以不切割。如许多CLK可在Top层一次走完不需换层，则VCC层也可不切割。优点：保证VCC，GND的完整性，减少CLK多次换层。3、切割（Audio区域）A、AGND与GND区域的切割线同样参照零件摆放，要求零件摆放时要区分，摆在各自区域，同时有AGND和GND成分的零件摆放在切割线上，便于切割。（I\O区情况类似）B、VCC与GND切割同样精良保持一致，避免有走线互越情况，影响同样有：走线互越切割不一致.三、EMI相关元件摆放1、高速IC及decoupling电容A、高速的IC避免放在边或近I\O区.B、Decoupling电容多为于大型高速IC附近，如南北桥…,主要作用:充放电稳压和滤波.所以要尽量靠近接电源pin脚.C、另一种decoupling电容即EMI经常预留的电容，位置多位于CLK换层处附近（保证CLK回返电流完整），高速IC附近（滤波，防止IC杂讯对周围影响）或靠近I\O电源处(减小此电源对I\O的影响).2、bypass电容A、Bypass电容摆放位置应位于最近I\O connector处,正确连接方式如下,直接经过电容Pin脚再到Connector,不能有分支(基于减小高频下导线电感效应的考虑).CLK的RC电路中的电容有同样连结要求(RC要放于CLK源端).四、接地A、Top和Bottom走线层不要随意铺GND shape，如果有则要足够的GND Via（接地不良容易产生天线效应）。B、I\O区要有足够的GND Via贯通各层,connector的固定pin脚也要通过Via与GND相连.C、Decoupling及bypass电容的下地pin脚尽量避免两个电容共一个GND pin，有条件的情况下一个电容通过两个GND Via下地。五、多层板问题A、对于6层或8层板，还需要注意如下问题，比较各层间距确定走线层的主要参考面；注意相邻走线层间的走线串扰（避免串扰方法是相邻走线层采取交叉走线）。 六、論壇 一般EMI/EMC设计时需要同时考虑辐射(radiated)与传导(conducted)两个方面. 前者归属于频率较高的部分(30MHz)后者则是较低频的部分(30MHz). 所以不能只注意高频而忽略低频的部分. 一个好的EMI/EMC设计必须一开始布局时就要考虑到器件的位置, PCB迭层的安排, 重要联机的走法, 器件的选择等, 如果这些没有事前有较佳的