实验四存储器部件实验报告.docVIP

实验四 存储器部件实验 班级：通信111班 学号：201110324119 姓名：邵怀慷 成绩： 一、实验目的 1、熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。 2、理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。 3、了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。 4、了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作。 5、加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。 二、实验内容 1、要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE等控制信号的正确状态。 2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）、EPROM（27系列芯片）在读写上的异同。 3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。 4、用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28 系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。 三、实验步骤 1、检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。 2、RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E 命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。 (1) 用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。 1) 在命令行提示符状态下输入： E 2020↙ 屏幕将显示： 2020 内存单元原值: 按如下形式键入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 ↙ （1）结果 2) 在命令行提示符状态下输入： D 2020↙ 屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为： 2222 3333 4444 5555 问题：断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023 的值。会发现 什么问题，为什么？ 答：断电结果： 断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单位2020~2023的值。会发现原来置入到这几个内存单位的值已经改变，用户在使用RAM时，必须每次断电重启后豆芽平重新输入程序或修改内存单位的值。 (2) 用A 命令输入一段程序，执行并观察结果。 在命令行提示符状态下输入： A 2000↙ 屏幕将显示： 2000： 按如下形式键入： 2000： MVRD R0，AAAA MVRD R1，5555 AND R0，R1 RET 问题：采用单步和连续两种方式执行这段程序，察看结果，断电后发生什么情况？ 答：输出结果 分析：从采用但不和连续两种方式执行这段程序，察看结果，断电后发生什么情况R1的数据改变了。 3、将扩展的ROM芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的自锁紧插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。 如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。 4、将扩展的ROM 芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯 片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。 5、将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”“ PGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWR”“/OE”“GND”的三个插针左边两个短接。 6、将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC 138 芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元。 注意：标有/CS 的圆孔针与标有MEM/CS 的一排圆孔针中的任意一个都可以用导线相连；连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。 下面以2764A 为例，进行扩展EPROM 实验。 7、EPROM 是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对EPROM 进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空，再通过编程器进行编程。 (1) 将芯片0000~001F 的内存单元的值置成01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 1