中国物理年会M计算物理.doc

中国物理年会 2011 M 计算物理 金属渗透诱导的Alq3分子中的自旋极化 宁文伟，张瑞强，齐世飞*，许小红 山西师范大学化学与材料科学学院 临汾 041000 E-mail:qishifei@ 关键词：有机半导体；金属渗透；磁距 近年来，有机半导体材料由于其在自旋电子学领域中的独特优势，吸引了越来越多的目光。尤其是已经被广泛应用于有机发光二极管中的8羟基喹啉铝（Alq3）。Xiong等首先使用Alq3作为中间层制成了一个有机自旋阀器件，并且发现了巨磁电阻（GMR）效应[1]。这个初始的研究激发了人们对Alq3基的有机自旋电子学的研究。然而，目前该领域存在的一些有争议和尚未解决的问题，如是否真的有MR效应存在，如何解释Alq3中的自旋注入和输运机制等，这些问题的存在已经大大的妨碍Alq3基的有机自旋电子学的进一步发展。最近的实验研究发现，Alq3中存在金属渗透现象[2]。因此，本文运用第一性原理计算系统的研究了不同的金属(Na, Mg, Al, Ga, Sn 和Mn, Fe, Co, Ni, Cu)渗透对Alq3的电子结构和自旋相关性质的影响。 计算采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法，平面波切断能量为400eV，原子之间相互作用力的收敛标准0.02eV/?，自洽运算的能量收敛判据为1×10-6eV/atm，布里渊区积分采用Monkhorst-Pack形式。 我们的计算研究发现：（1）金属渗透通常会导致Alq3分子中产生自旋极化现象，但是金属渗透到Alq3分子中的位置对自旋极化现象的产生与否有重要影响。正如图一所显示的，Mg和 Fe渗透到Alq3分子后得到的不同构型有不同的自旋极化，这一发现可以很好的解释实验关于MR效应是否存在的争议。（2）不同金属渗透诱导的Alq3分子产生自旋极化的机制各不相同。通常可以分为三类，第一类是以Na，Al，Ga为代表最外层有单电子的非过渡金属，他们渗透到Alq3分子中后，自旋极化主要由喹啉环上C的2p和N的2p轨道杂化贡献。第二类是以Mg 和Sn为代表最外层电子配对的非过渡金属，他们渗透到Alq3分子中后，自旋极化主要由电荷转移后剩余的Mg的3s和Sn的5p轨道上的电子贡献。第三类是3d过渡金属，相应的自旋极化主要有这些金属的3d轨道上的电子贡献。因此，我们的研究证实，金属渗透对Alq3基的有机自旋电子学的研究中的自旋相关效应有重要影响。 图一 纯Alq3和Na、Mg及Fe的态密度图 参考文献： [1] Z. H. Xiong, D. Wu, Z. V. Vardeny, and J. Shi, Nature (London) 427, 821 (2004). [2] F. W. Wang, Z. H. Pang, L. Lin, S. J. Fang, Y. Dai, and S.H Han, Appl. Phys. Lett. 96, 053304 (2010).