AlGaAs2fGaAs薄膜的基本表征.pdfVIP

目录 摘要 III Abstract IV 第一章 绪论1 1.1 引言1 1.2 AlGaAs 材料的制备方法与应用简介 2 1.3 论文研究意义与内容3 第二章 实验设备与表征手段 5 2.1 分子束外延系统 5 2.1.1 MBE 生长原理 5 2.1.2 源炉与衬底加热装置 6 2.2 反射式高能电子衍射仪 8 2.2.1 RHEED 工作原理 9 2.2.2 RHEED 衍射图样 10 2.2.3 RHEED 强度振荡 12 2.3 低温扫描隧道显微镜系统 13 2.3.1 LT-STM 原理 13 2.3.2 双线圈法制备钨探针 14 2.4 X 射线衍射17 2.4.1 X 射线衍射原理 17 2.4.2 双晶衍射技术简介19 2.5 霍尔效应21 2.5.1 霍尔效应原理21 2.5.2 范德堡法测霍尔效应22 2.5.3 材料物性综合测试系统26 第三章 AlGaAs 薄膜表面的表征 27 3.1 不同组分的 AlGaAs 薄膜的表面形貌研究 27 3.1.1 GaAs 缓冲层的生长27 3.1.2 不同组分 AlGaAs 薄膜生长的实验过程 28 3.1.3 AlGaAs 薄膜生长的实验结果讨论与总结 32 3.2 沉积速率对 AlGaAs 薄膜表面形貌的影响 34 3.2.1 Al0.25 Ga0.75As 薄膜生长实验过程 34 3.2.2 Al0.25Ga0.75As 薄膜生长实验结果讨论与总结 38 3.3 In0.15Ga0.85As 薄膜与 Al0.15Ga0.85As 薄膜表面形貌差异40 3.3.1 In0.15Ga0.85As 薄膜的 STM 扫描40 3.3.2 薄膜原子表面扩散的应力影响42 第四章 AlGaAs/GaAs 的结构与电学性质表征46 4.1 AlGaAs/GaAs 厚薄 XRD 表征 46 4.1.1 不同 AlGaAs 膜的生长 46 4.1.2 结果讨论与总结47 4.2 Al0.25Ga0.75 As/GaAs 量子阱输运特性 51 4.2.1 Al0.25 Ga0.75 As/GaAs 量子阱结构生长51 4.2.2 Al0.25 Ga0.75 As/GaAs 量子阱霍尔效应53 万方数据 4.2.3 误差分析 55 第五章 结论57