把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷.ppt

* 第四章 晶体中的缺陷 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 缺陷：把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别 称为晶体缺陷。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 4.1 晶体缺陷的主要类型 晶体缺陷按范围和尺寸分类： 1、点缺陷：在三维空间各方向上尺寸都很小，原子 尺寸大小的晶体缺陷。 2、线缺陷：在三维空间的一个方向上的尺寸很大， 另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大 小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中 的位错。 3、面缺陷：在三维空间的两个方向上的尺寸很大， 另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小) 的晶体缺陷。 一、点缺陷： 填隙原子 1、点缺陷的类型： 1）空位 在晶格结点位置应有原 子的地方空缺，这种缺 陷称为“空位”。 2）填隙原子 在晶格非结点位置， 往往是晶格的间隙， 出现了多余的原子。 空位 3）杂质原子 不同种类的原子替换原 有的原子占据其应有的 位置，或进入间隙位置。 在实际晶体内部，点缺陷附近，原子排列会出现畸变，其他地方则仍然规则排列 杂质原子 填隙原子 杂质原子 2、点缺陷的形成： 1）热缺陷——依靠原子的热涨落形成晶体内部的空位和同类填隙原子，也叫做本征缺陷。 a.夫伦克耳缺陷： 由于热涨落，一个原子从正常格点跳到间隙位置，同时产生一个空位和一个填隙原子. 弗伦克尔缺陷的特点是空位和填隙原子同时出现，晶体体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产生密度变化。 空位＋填隙原子 b. 肖脱基缺陷： 晶格内部原子能量集聚，迁移到表面位置，而在原来格点处留下空位。 空位+表面原子 肖特基缺陷的特点是晶体表面增加了新的原子层，晶体内部只有空位缺陷，且晶体体积膨胀，密度下降。 温度越高，晶体体内的热缺陷数目越多。 2）杂质缺陷 由外加杂质的引入所产生的缺陷，亦称为组成缺陷。 杂质缺陷的浓度与温度无关。 为了有目的地改善器件性能，人为地引入杂质原子。 例如： 个硅原子 电导率增加 倍 硅半导体中： 红宝石激光器中： 刚玉晶体 形成发光中心 3、点缺陷对材料性能的一般影响 原因：无论那种点缺陷的存在，都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平衡，即造成小区域的晶格畸变。 效果 改变材料的电阻 定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力(陷阱)，增加了电阻；离子晶体中，空位可以帮助离子扩散，增加电导率 加快原子的扩散迁移 空位可作为原子运动的周转站。 形成其他晶体缺陷 过饱和的空位可集中形成内部的空洞，集中一片的塌陷形成位错。 改变材料的光学性能 会使材料的颜色改变。 二、线缺陷 位错 1、位错的类型 1）刃型位错： 有刃型位错的晶体 当晶体中存在刃型位错，就象刀劈柴一样，将半个晶面插入晶体的上半部分，“刀刃”所在位置即为“刃型位错”，简称刃位错。 刃型位错的形成，是在外力作用下，晶体的上半部分相对于下班部分向左平移一个原子间距，使晶体内有一个原子平面在晶体内部中断，其中断处的边沿即刃型位错 有螺型位错的晶体 2）螺型位错： 螺位错的形成，是在外力作用下，将晶体的上半部分向后移动一个原子间距，而在分界线的区域形成一螺旋面，分界线即螺型位错 当晶体中存在螺型位错，原来的一个晶面形成类似螺旋阶梯的螺旋面，旋转轴所在的位置即为“螺型位错”，简称螺位错。 位错在晶体表面的露头 抛光后的试样在侵蚀时，由于易侵蚀而出现侵蚀坑，其特点是坑为规则的多边型且排列有一定规律。只能在晶粒较大，位错较少时才有明显效果。 薄膜透射电镜观察 将试样减薄到几十到数百个原子层(500nm以下)，利用透射电镜进行观察，可见到位错线。 2、位错的观察： 位错客观的存在于晶体中。 离位错线较远处，原子排列接近于完整晶体； 离位错线较近处，原子排列有较大错乱 3、位错的特征： 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 三、面缺陷 1、表面 在晶体表面，垂直于表面方向上平移对称性被破坏，表面上的原子排列不同于晶体内部，因此是一种面缺陷。 表面处的原子的排列一般具有二维的周期性。 单晶体 多晶体 2、晶界 内部的晶体