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- 2019-06-16 发布于四川
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- | 2015-05-15 颁布
- | 2016-01-01 实施
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ICS 31.200
中华人民共和 国 国彖标准
GB/T 14112—2015
代替 GB/T 14112— 1993
半导体集成电路
塑料双列封装冲制型引线框架规范
Semiconductor integrated circuits —
Specification for stamped leadframes of plastic DIP
2015-05-15 发布 2016-01-01 实施
GB/T 14112—2015
目 次
前言m
i范围1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 技术要求 1
4.1引线框架尺寸 1
4.2引线框架形状和位置公差 2
4.3引线框架外观 3
4.4 引线框架镀层3
4.5引线框架外引线强度4
4.6 铜剥离试验 4
4.7 银剥离试验4
5 检验规则 4
5.1 检验批的构成 4
5.2 鉴定批准程序 4
5.3 质量一■致性检验 4
6 订货资料 7
7标志、包装、运输、贮存 7
7.1 标志、包装7
7.2运输、贮存7
附录A (规范性附录 )引线框架机械测量 8
附录B (规范性附录 )引线框架高温和机械试验16
附录C (资料性附录 )批允许不合格率(LTPD)抽样方案 18
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GB/T 14112—2015
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刖 吕
本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14112— 1993 《半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范》。
本标准与GB/T 14112— 1993相比主要变化如下:
—关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T 2828.1-2012代替IEC 410;增加引用
文件 GB/T 2423.60—2008 、SJ 20129;
——增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义;
一标准“4.2引线框架形状和位置公差” 中,增加了芯片粘接区平面度 、引线框架内部位置公差的
有关要求;
修改了标准中对 “侧弯”的要求(见4.2.1 ):原标准仅规定了侧弯小于0.05 mm/150 mm 本标
准在整个标称长度上进行规定;
——修改了标准中对 “卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5 mm/150 mm
本标准根据材料的厚度进行规定;
-修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭|tt|小于0.5 mm 本标
准将框架扭曲修改为条带扭曲 ,并根据材料的厚度进行规定;
-修改了标准中对 “引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端
点的最大扭曲值,本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定;
-修改了标准中对 “精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最
小引线间距的相关要求;
-修改了标准中对 “绝缘间隙”的要求(见4.2.7 ):原标准中规定的绝缘间隙为0.15 mm 本
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