课题十八其他新型电力电子器件.doc

河南工业职业技术学院　　《电力电子技术》教案 电气工程系　　　　　　　　　　　　　　18- PAGE 1 课题十八 其他新型电力电子器件 基本课题：其他新型电力电子器件 目的要求：了解这些新型器件的特点和适用场合。 主要内容及重点难点 主要内容：集成门极换流晶闸管；MOS控制晶闸管；静电感应晶体管；静电感应晶闸管；功率集成电路PIC；智能功率模块 教学重点: 器件的应用及注意事项 教学难点：器件的应用 教学方法及教学手段 讲述法、自学法 作业： 6 课题十八 其他新型电力电子器件 一、集成门极换流晶闸管（IGCT） 集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor)) 是1996年问世的一种新型半导体开关器件。 1．门极换流晶闸管GCT：与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO和IGBT相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。 2．IGCT的特点：将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的。 （1）高速，低功耗：IGCT和GTO相比，开关速度比GTO高10倍。 IGCT的关断时间降低了30%，功耗降低40%。IGCT不需要吸收电路，可以像晶闸管一样导通，像 IGBT一样关断，并且具有最低的功率损耗，可以取消浪涌电路。具有强的关断能力, （2）控制方便：IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一 根光纤上就可以控制它的开通和关断。 （3）IGCT芯片可以比GTO芯片做得很薄，薄得如同二极管，故可与反并联的续流二极管集成在一个芯片上。 （4）适用：它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。是一种高耐压大电流器件，目前IGCT的最高阻断电压为6kV，工作电流为4kA。 二、MOS控制晶闸管(MCT) 1．特点： MOS控制晶闸管(Mos Controlled Thyristor—MCT)是一种单极型和双极型组合而成的复合器件，输入侧为MOSFET结构，因而输入阻抗高，驱动功率小，工作频率高；而输出侧为晶闸管结构，能够承受高电压，通过大电流，这是一种很有发展前途的器件。 2．MCT的结构： MCT是在晶闸管结构基础上又制作了两只MOSFET，（ON-FET，OFF-FET)。MCT的电极和晶闸管一样也是阳极A、阴极K和门极G，但MCT是电压控制器件。 a) b) 图4-25 P-MCT 单胞的等效电路及图形符号 图4-26 电压为600V的不同器件正向特性 3．工作原理： 当门极相对于阳极加正电压脉冲时，OFF-FET导通，PNP晶体管的基极电流经OFF-FET流向阳极，使PNP管截止，从而破坏了晶闸管的正反馈，使MCT关断。 一般使MCT导通的负脉冲电压为–5～–15V，使MCT关断的正脉冲电压为+10～+20V。 4．MCT的静态正向特性 静态时MCT相当于晶闸管，阻断时能承受较高的正向电压，导通时具有很低的通态压降。 三、静电感应晶体管SIT（固体三极管） 1．特点： 静电感应晶体管(Static Induction Transistor)简称SIT。SIT具有输出功率大、失真小、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等一系列优点。 2．适用范围： 适合作高压大功率器件，不仅可以工作在开关状态，用作大功率的电流开关；而且可以作为功率放大器。 3．结构： SIT有门极G、漏极D和源极S构成。SIT最重要的特征是在门源短路，也即门源电压为零时，器件处于导通状态，因此SIT为常开型器件。 a) b) 图4-27 SIT的原理结构及其电气图形符号 a)单元胞结构 b)电气图形符号 4．工作原理： 当门源电压为零，导通，当门源之间加负电压，特别是uGS=UGS(off)时，耗尽层在沟道中心相遇，沟道中的电流即被夹断。UGS(off)称为夹断电压。 SIT可称为。 四、静电感应晶闸管SITH 静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor)简称SITH，是在SIT基础上发展起来的新型电力电子器件。在开态呈现与整流器类似的特性，其正、反向工作时都具有阻断能力，故又称为场控晶闸管(Field Controlled Thyristor)，简称FCT。 SITH的三个引出端分别称为阳极A、阴极K和栅极(门极)G。 a)