异质结和MIS结构.pptVIP

如图半导体异质pn结界面导带连接处存在一势垒尖峰，根据尖峰高低的不同有两种情况。上图表示势垒尖峰 低于p区导带底的情况，称为低势垒 尖峰情况，下图表示势垒尖峰高于p 区导带底的情况，称为高势垒尖峰 情况。 突变异质结pn结的电流—电压特性 低势垒尖峰与高势垒尖峰情形 根据上述，低尖峰势垒情形是异质结的电子流主要有扩散机制决定，可用扩散模型处理，如下图中表示其正偏压时的能带图。p型半导体中少数载流子浓度n10与n型半导体中多数载流子浓度的关系为： 取交界面x=0，当异质结加正 向偏压V时 异质结正偏压时的能带图 在稳定情况下，p型半导体中注入少数载流子运动的连续性方程为 其通解为 由边界条件，x=-∞时，n(-∞)=n10，得A=0；当x=-x1时，将n1(-x1)代入上式有： 从而求得电子扩散电流密度 上式为由n型区注入p型区的电子扩散电流密度，以下计算由p型区注入n型区的空穴电流密度。从p区价带顶的空穴势垒高度为 在热平衡时n型半导体中少数载流子空穴的浓度与p型半导体中的空穴浓度关系 正向电压V时在n区x=x2处的空穴浓度增加为 与前面相同，求解空穴扩散方程，从而求得空穴扩散电流密度 由上述Jn、Jp可得外加电压，通过异质pn结的总电流为 上式证明正向电压时电流随电压按指数关系增加。 对于高尖峰势垒情形，如图所示，通过异质结的电流是由发射 机制控制的，以下用热电子发射模型计算其电流密度。 设n区电子热运动平均速度为： 则单位时间从n区撞击到势垒处单位面积 上的电子数为： 图：高尖峰势垒情形 故由n区注入p区的电子电流密度 同理得到从p区注入n区电子流密度为 得到 总电流密度 由于异质结情况的复杂性，上式也只得到了小部分异质结实验结果 的证实。正向电压时，主要由从n区注入p区的电子流形成，则 说明发射模型也同样得到正向时电流随电压按指数关系增加。 不能用于加反向电压的情况。 异质pn结的应用 对于NPN型双极型晶体管，其结构如图所示，发射结效率定义为 NPN型双极型晶体管结构 式中Jn和Jp分别表示由发射区注入基区的电子电流浓度和由基区注入发射区的空穴电流密度，当 接近于1时，才能获得高的电流放大倍数。对于同质结的双晶体管，为了提高电子发射效率，发射区的掺杂浓度应较基区掺杂浓度高几个数量级，这就限制了基区掺杂浓度不能太高，增加基区的电阻，而为了减小基区电阻，基区宽度就不能太薄，影响了频率特性的提高。 采用宽禁带n型半导体和窄禁带p型半导体形成的异质结作为发射结，则获得高的注入比和发射效率，使基区厚度大大减薄，从而大大提高晶体管的频率特性。使用这种结构制作的双极晶体管称为异质结双极晶体管。 由前面分析，可得异质pn结电子电流与空穴电流的注入比为 在p区和n区杂质完全电离的情况上式可表为： 其中?E=?EC+?EV式中Dn1、Dn2及Lp2、Ln1相差不大，都在同一数量级，而 可远大于1，由式中可以看出，即使p区掺杂浓度很大，仍看 可以得到很大的注入比。 以宽禁带n型 和窄禁带p型GaAs组成的pn结为例，其禁带宽 度之差 ，设p区掺杂浓度为 ，n区掺杂浓度 为 。 由上式可得 这表明即使禁带宽n区掺杂浓度较p区低近两个数量级，但注入比仍可 高达 ，异质pn结的这一高注入特性是区别于同质pn结的主要 特点之一，也因此得到重要应用。 MIS结构及其应用 场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应管工作的关键部分为金属—绝缘层—半导体(MIS)接触的结构，如下图所示： 金属对应的电极为栅极，其外加偏压 为VG。当VG=0时，该结构的能带结 构如图所示： MIS接触平衡时的能带结构 随着金属与半导体之间所加偏压VG的变化，其能带结构呈现出以下不同的状态。 （1）多数载流子堆积状态（积累层） VG0时，电场由体内指向表面，能带向上弯曲，形