第六章 场效应晶体管深入.pptVIP

第六章 MOS场效应晶体管：概念的深入 6.1 非理想效应 6.1.1 亚阈值电导 6.1.2 沟道长度调制效应 6.1.3 迁移率的变化 6.1.4 速度饱和 6.1.5 弹道输运 6.2 MOSFET按比例缩小理论 6.2.1 恒定电场缩小 6.2.2 阈值电压（一级近似） 6.2.3 全部按比例缩小理论 6.3 阈值电压的修正 6.3.1 短沟道效应 6.3.2 窄沟道效应 6.4 附加电学特性* 6.4.1 击穿电压 6.4.2 轻掺杂漏晶体管 6.4.3 离子注入阈值调整 6.5 结型场效应晶体管* 6.5.1 JFET概念 6.5.2 JFET工作原理 6.5.3 JFET电流-电压特性 6.6 高电子迁移率晶体管* 6.6.1 量子阱结构 6.6.2 晶体管性能 6.1 非理想效应 6.1.1 亚阈值电导 理想和实际电流电压特性 弱反型时的能带图 6.1.1 亚阈值电导 （a）n沟道MOSFET （b）堆积模式 （c）弱反型模式 （d）反型模式 6.1.2 沟道长度调制效应 漏电流反比于沟道长度 沟道长度受漏源电压调制 6.1.3 迁移率的变化 迁移率随栅压变化（速度饱和） 沟道中载流子的表面散射 6.1.4 速度饱和