第6章 离子注入教学课件.ppt

典型离子注入参数 离子：P，As，Sb，B，In，O 剂量：1011~1018 cm-2 能量：1– 400 keV 可重复性和均匀性: ±1% 温度：室温 流量：1012-1014 cm-2s-1 6.7离子注入的其它应用浅结的形成 目的：抑制MOS晶体管的穿通电流，减小器件的短沟效应----因此要求减小CMOS源/漏结的结深 形成浅结困难很多 方法（1）分子注入方法 （2）降低注入离子能量 （3）预非晶化 6.7离子注入的其它应用 Xj 0.8Xj 难熔栅 SiO2 Si 源 漏 Xj 难熔栅 SiO2 Si 源 漏 浅注入层 扩散形成 寄生电容大 自对准金属栅结构 对阈值电压VT的控制 对MOS管来说，栅电极可控范围是它下面极薄的沟道区，注入杂质可看作全包含在耗尽层内。Rp在SiO2/Si界面附近，?Rp很小，适当控制QT，就能得到希望的VT。 源 栅 漏 P-Si 离子注入区 SiO2 SiO2/Si界面态面密度 沟道区强反型体电荷 离子注入在集成电路中的应用 一、CMOS制造 9-10 different I/I identified ! 离子注入在2μmN阱CMOS中的应用 N阱注入：P+，QT=3×1012cm2, E=80keV 阱外场注入：B+, QT=1×1013cm2, E=120keV 注P+31：防止寄生沟道 调解开启电压： B+, QT=6×1011cm2, E=100keV 注NMOS源、漏：P+, QT=3×1015cm2, E=150keV 注PMOS源、漏：B+, QT=5×1015cm2, E=100keV n+ p+ P沟 p+ N阱 p+ n+ n+ n沟 p-Si Vi VO VSS VDD S D D G G S 。高能注入形成埋层 。LOCOS（局域氧化隔离）下方的p-n结隔离 。形成基区注入 。砷注入多晶硅发射区 。多晶电阻 二、双极型制造（Bipolar fabrication） 硅衬底背面损伤形成吸杂区 Backside Damage Layer Formation for Gettering 形成SOI结构 Silicon-On-Insulator Using Oxygen or Hydrogen Implantation 三、其它应用 氧注入 SOI片的制作，可采用Si中用离子注入O+工艺，通过退火获得SiO2层，这种工艺称为SIMOX技术。 退火 O+ SIMOX注氧隔离技术 SIMOX（Separation by implanted oxygen） 技术是迄今为止最成熟的 制备技术 它主要包括两个工艺步骤： 氧离子注入 用以在硅表层下 产生一 个高浓度 的注氧层 ； 高温退火 使注入的氧与硅反应形成绝缘层 这 种方法 的主 要 限制 是 需要 昂贵 的大 束流 注 氧专 用 机 ，另 一个 问题是 为消除氧注入损伤 ,实现表面硅层 固相再结 晶,形成 良好的 界面 ,必须用专用退 火炉进行高温 长 时间 退 火 ,因而 材料成本 较高 SIMOX 技 术制 成 的 材料 ,厚 度均 匀 尤 其 适 于 制 作 超 薄 型SOI Smartcut智能剥离技术 Smartcut技术是法 国 公 司 的 M.Bruel 等提 出 的 ,其原理 是利用H+注入在Si 片中形成气泡层 ,将注氢片 与另 一 支撑 片键合(两 个硅 片 之 间至少一 片的表面要有热氧化 SiO2覆盖层 ,经适 当 的热 处 理 使注氢片从气泡层完整裂开 ,形成 SOI结构. SmartCut技术是一种较理想 的 SOI制备技术 ? 对比内 容 热扩散 离子注入 动力 高温、杂质的浓度梯度 平衡过程 动能，5-500KeV 非平衡过程 杂质浓度 受表面固溶度限制掺杂浓度过高、过低都无法实现 浓度不受限 结深 结深控制不精确 适合深结掺杂 结深控制精确 适合浅结掺杂 横向扩散 严重。横向是纵向扩散线度的0.70-0.85倍，扩散线宽3μm以上 较小。特别在低温退火时，线宽可小于1μm 均匀性 电阻率波动约5-10% 电阻率波动约1% 温度 高温工艺，越1000℃ 常温注入，退火温度约800℃，可低温、快速退火 掩蔽膜 二氧化硅等耐高温薄膜 光刻胶、二氧化硅或金属薄膜 工艺卫生 易沾污 高真空、常温注入，清洁 晶格损伤 小 损伤大，退火也无法完全消除，注入过程芯片带电 设备、费用 设备简单、价廉 复杂、费用高 应用 深层掺杂的双极型器件 或者是电路 浅结的超大规模电路 热扩散和离子注入的比较 离子注入小结： (1) 注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函