毕业论文--基于六角单胞的600V50APT结构IGBT的设计与仿真.docVIP

大连东软信息学院 本科毕业设计（论文） 论文题目 论文题目：基于六角单胞的600V 50A PT结构IGBT的设计与仿真 系 所： 电子工程系 专 业： 电子信息工程（微电子制造方向） 学生姓名： 学生学号： 指导教师： 导师职称： 讲师 完成日期： 2014年4月28日 大连东软信息学院 Dalian Neusoft University of Information 大连东软信息学院毕业设计（论文） 摘要 PAGE V 基于六角单胞的600V 50A PT结IGBT的设计与仿真 摘 要 使能源能高效、清洁利用的核心都在于各种能源形式的高效控制、高效转换，而IGBT作为新型功率半导体器件，广泛应用于风电与太阳能、轨道交通、家用电器、电动车等领域。 功率半导体器件是电力电子技术的基础与核心，同时也是电力电子电路进行能量转换和控制的最基本的电子元器件。微电子技术的到来，进一步为半导体器件的发展起到了良好的推动作用，再者随着人们生活生产的需要，电力电子技术的不断发展反过来促进了功率半导体器件向着高压、高频、高温、大功率及智能化方向发展，为功率半导体器件开拓出了更为广阔的前景。 IGBT具有高的输入阻抗、较低的通态压降，因此是能够处理较大电流的功率半导体器件。本文首先从一开始介绍了IGBT的发展、IGBT的结构原理以及工作特性等。并进一步对IGBT的参数进行了简要的分析，初步得出了IGBT的相应参数。先使用Athena软件对IGBT的工艺流程进行了仿真，然后用Atlas软件对器件的特性进行了仿真，进一步验证了设计，最终实现了电流为50A电压为600V的功率半导体器件IGBT。论文最后用Xstart软件画出了IGBT器件的原胞版图。 关键词：功率器件，工艺仿真，电子器件，原胞 大连东软信息学院毕业设计（论文） Abstract The Design and Simulation of 600V 50A PT IGBT Based on Hexagonal Unit Cell Abstract So that energy can be efficient and clean used of both core that control various forms of energy efficiency,conversion efficiency,and as a new IGBT power semiconductor devices, from superior performance, wind power and solar energy, is widely used in rail transportation, household appliances, electric vehicles fields. Power semiconductor devices enable the foundation and core of power electronics technology, also power electronic circuits for energy conversion and control of basic electronic components. However, the arrival of microelectronics technology, further development of semiconductor devices play a further role in promoting the needs of people living with the addition of production, the development of power electronics technology, in turn, promotes the power semiconductor devices toward the high pressure,