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第1章 半导体存器件 1.1 学习要求 （1）了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性。 （2）了解半导体二极管、三极管的结构。 （3）理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。 （4）理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 （5）了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较。 1.2 学习指导 本章重点： （1）PN结的工作原理。 （2）二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。 （3）双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 本章难点： （1）半导体二极管的限幅、钳位等作用。 （2）双极型三极管的电流分配与电流放大作用。 本章考点： （1）本征半导体、杂质半导体的相关概念。 （2）PN结的单向导电特性。 （3）半导体二极管、稳压管的限幅、钳位等电路分析。 （4）双极型三极管的管脚、工作状态及放大条件的判别。 1.2.1 PN结 1．半导体的导电特征 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。纯净的半导体称为本征半导体，其导电能力在不同的条件下有着显著的差异。本征半导体在温度升高或受光照射时产生激发，形成自由电子和空穴，使载流子数目增多，导电能力增强。 杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，有N型半导体和P型半导体两种类型。N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的，自由电子为多数载流子，空穴为少数