毕业论文--一种硅基1200V 15A Trenchstop结构的IGBT设计与仿真.docVIP

大连东软信息学院 本科毕业设计（论文） 论文题目 论文题目：一种硅基1200V 15A Trenchstop结构的IGBT设计与仿真 系 所： 电子工程系 专 业： 电子信息工程（微电子制造方向） 学生姓名： 学生学号： 指导教师： 导师职称： 讲师 完成日期： 2014年 大连东软信息学院 Dalian 大连东软信息学院毕业设计（论文） 摘要 PAGE V 一种硅基1200V 15A Trenchstop结构的IGBT设计与仿真 摘 要 “核心电子器件，高端通用芯片及基础软件产品”（简称“核高基重大专项”）是2006年国务院发布的《国家中长期科学和技术发展规划纲要》（2006-2020年）所确定的国家十六个科技重大专项之一。“核高基”所涵盖的三个方向是21世纪电子信息产业国际竞争的战略制高点，对我国电子信息产业核心竞争力的形成至关重要。绝缘栅场效应晶体管（IGBT）就属于新型电力电子器件，被公认为世界电力电子第三次技术革命的代表性产品，已成为自动控制和功率变换的关键核心部件。可广泛应用于电力领域，消费电子，汽车电子，新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔，是未来应用发展的必然方向。由于国内发展较晚，具有自主知识产权的IGBT研究和生产水平与国际先进技术相差较大，所以对IGBT器件的研究很有意义。 本文分析一个目前最流行的沟槽栅场截止（Trench gate Field Stop）结构的IGBT，首先介绍IGBT器件的最基本结构（PT-IGBT）及其工作原理，然后介绍TrenchStop结构IGBT的演变过程以及形成机理，以英飞凌公司的型号为IKW15T120（1200V 15A）的TrenchStop结构的IGBT为参考，详细了解这个器件的特定的参数范围，对其进行分析和建模，根据器件的数值算法模型，推导出器件的参数范围，并参考文献，在此基础上给出确定的参数值。利用TCAD（Technology Computer Aided Design）技术，既半导体工艺模拟以及器件模拟工具，对本结构的IGBT进行工艺建模，结合TrenchStop结构IGBT器件的版图，得出对应参数性能的硅基IGBT的工艺模拟过程。 本文主要论述最新一代TrenchStop结构IGBT器件管芯的工艺仿真的过程。根据参数计算的结果，绘制出TrenchStop结构IGBT的版图具体图形，并根据版图文件实现工艺仿真的详细过程。 关键词：新型电力电子器件，IGBT，TrenchStop，TCAD 大连东软信息学院毕业设计（论文） Abstract Design and simulation of IGBT with a silicon-based 1200V 15A TrenchStop structure Abstract Core electronic devices, high-end general chips and basic software products (referred as He Gao Ji major projects) was promulgated by the state council in 2006 the national medium and long-term program for scientific and technological development (2006-2020), the state determined by one of the 16 major projects of science and technology. He Gao Ji three directions are covered by electronic information industry in the 21st century international competition strategic high ground, the formation of Chinas electronic information indus