半导体器件计算机模拟新方法研究.pdf

第一章引言 第一章引言 1．1半导体器件模拟的现状及存在的问题 随着电子与信息技术的快速发展，微电子技术在现代电子与信息产业中起 着日益突出的作用。工艺的发展和技术的进步使得半导体器件特征尺寸越来越 小，新材料和新结构器件不断涌现，其器件内部包含着大量深层次的物理问题， 宏观上则表现出性能偏差和漂移越来越大、次级效应日益严熏等，因而需要高 效精确的器件级模拟工具来仿真器件内部载流子的运动规律【llf21。为了探讨半导 体器件的特性，了解其工作机理，提取器件参数，分析各种效应以及为实际制 备器件提供参考，需要对半导体器件进行全面准确的特性研究。面对这种发展 趋势，半导体器件模拟技术正适应了当今微电子技术发展的需要。 半导体器件的数值模拟是这样的过程：对所研究的半导体器件建立或选用 合适的物理模型，并对其抽象得到相应的数学表述，然后利用适当的数学方法 丌发计算机软件，并赋以器件的工艺、几何尺寸、电学等方面的模型参数，通 过计算机模拟，得到器件的特性及其内部的物理图象。 半导体器件模拟的概念起源于肖克莱(Shocldey}11949年发表的论文，这篇文 章奠定了结型二极管和晶体管的基础。从一组微分方程出发，肖克莱得到了半 导体器件的特性。后来，古默尔(GuMmeD首先用数值方法代替解析方法模拟了 一维双极型晶体管p】。随着大规模集成电路(LSI)的诞生和发展，器件的尺寸越来 越小，多维效应越来越显著。因而相应地，器件模拟工作者们的主要注意力也 逐渐放在二维及三维模拟上了。近年来，作为研究器件物理和新型结构器件的 有效工具，半导体器件计算机模拟技术得到了日益广泛的发展。 传统的半导体器件研制，一般是：提出设计方案一试制器件一测试一修改 设计方案一再试制，反复进行，直到得到满意的器件。但随着集成电路，特别 是VLSI(即超大规模集成电路)的发展，如何加快研制进程，缩短研制周期便 成为集成电路设计中首要的问题。由于在VLSI电路的生产工艺中，从设计、制 造到测试等都是极其复杂的，每一个环节都离不开对器件特性的模拟仿真。因 此半导体器件模拟在半导体器件和集成电路的设计及制造中具有极其重要的作 第一章引言 用，足必不可少的工作。对半导体器件进行深入的研究和模拟，有着重要的意 义：它可以缩短一种新产品的研发周期，还可以大人节省生产成本。 半导体器件模型是器件模拟的物理基础。模型的精度，即其所能反映出的 物理过程决定了对器件研究的深度和广度。目前，半导体器件模型分为四个基本 散模型(DDM)n其中DDM适于解决微米级的器件模拟，对于亚微米和深亚微米 器件泌须采用更高级别的HDM和BTM。 半导体器件模拟实质是针对半导体器件工作所遵循的物理方程的数学求解 过程。通常，半导体器件方程都是用一组微分(常微分或偏微分)方程来表征 的，而且，一般是非线性。尤其是在大电流和高电压条件下，器件通常呈现出 很强的耦合性和很强的非线性特性。所以求解半导体器件方程一般是很困难的。 1964年，Gummel首先开创了半导体的数值模拟研究，近年来这方面的工作有 了很大的进展。国内主要进行的是半导体器件数值模拟方面的研究，在半导体 器件的物理特性分析，颓型结构器件预研和优化设计等方面有重要的实用价值。 特别的，由于HDM模型由相互间具有耦合作用的非线性偏微分方程组构成，即 使对于一维问题也很难找到对应的解析解，对于多维问题，难度更大。因此， 数值求解技术在HDM模型中得到了广泛的应用。 通常，半导体器件模型一般都是偏微分方程，当经过有限差分或有限元方 法离散后，得到一组非线性方程组，并进一步将非线性方程组转化为线性方程 组后才能求解。 对于数值解，首先遇到的是方程离散化问题。目前，用于半导体器件方程 离散的常用方法主要有：1．有限差分方法，包括中心差分、前r或后)向差分法； 值解的稳定性和可靠性，s．G关系和OAD技术广泛应用于以上各方法之中。其 中，离散方法对数值解的稳定性与可靠性有重要影响。由于传输方程中的非线 性漂移项，若直接采用中心有限差分方法或有限元法，因对称地考虑了上下游 节点对中心节点的影响，抑制了非线性效应，所以数值结果中可能会出现非物 理振荡。为避免此数值振荡，必然对网格提出具体的且较高的要求，显然，这 对实际的处理带来了诸多不便，并且通常由于要求相当多的网格点数，