铁和锰的硅化物纳米结构在硅衬底上的外延生长与其XPS分析.pdfVIP

万方数据 铁和锰的硅化物纳米结构在硅衬底上的外延生长及其XPS 研究 摘 要 铁和锰的硅化物都具有丰富的物理性质，在光电器件、光纤互连、红外探测 器和热电等方面有着巨大的应用潜力。本文使用分子束外延方法成功在 Si(111) 和Si(110)表面制备出铁和锰的硅化物纳米结构，使用STM 和XPS 对其进行了分 析研究，探讨了生长参数对铁硅化合物在 Si(111)衬底上生长的影响，表征了铁 硅化合物的电学性质，分析了铁硅化合物和锰硅化合物的电子结构，得出以下结 论： （1）沉积温度在 600 ℃~800 ℃时几种铁硅化合物能够共存。铁硅化合物 的形核密度随着温度的升高而减小，随束流的增大而增大，其形核过程符合传统 的形核理论。在沉积温度为~700 ℃时，多边形平板状岛从p (2×2)相转变为c(8×4) 相。选取最佳的生长参数时(沉积温度~775 ℃，束流为0.0067 MLmin-1，沉积厚 2 度为~1.7 ML) ，可以得到面积较大的c(8×4)相，其面积超过1μm 。I- V 曲线表明 c(8×4)相和正三角形铁硅化合物岛都为半导体性，其禁带宽度分别为~0.8 eV 和 ~0.9eV ，而棒状铁硅化合物岛为金属性。 （2 ）XPS 结果表明，铁硅化合物短暂暴露于大气环境后会被氧化为铁氧化 合物，经过曲线拟合计算出铁硅化合物被氧化的比例为~47 % 。铁硅化合物纳米 结构的Fe 2p 3/2 和2p 1/2 峰分别出现在706.9 和719.7 eV，较金属铁向高结合能方 向的化学位移为0.2 eV 。铁硅化合物的Si 2p 3/2 峰(98.9 eV)较体相Si 的Si 2p 3/2 峰 (99.2 eV) 向低结合能方向的化学位移(0.3 eV)，表明在铁硅化合物形成过程中Si 的化学环境发生了变化。 （3 ）STM 图像表明，MnSi 薄膜厚度为~0.9 nm ，表面为 3  3 重构，MnSi1.7 纳米线长500~1500 nm，宽16~18 nm，高~3 nm 。XPS 结果表明两种锰硅化合物 的Mn 2p 谱图相近。由于马德龙势能，自旋-轨道裂分后Mn 2p 1/2 和2p 3/2 峰的结 合能分别为649.4 和638.4 eV，较金属态Mn 向低结合能方向的化学位移为~0.5 万方数据 eV 。在短暂暴露于空气中后部分MnSi 薄膜和MnSi1.7 纳米线会被氧化，从而形 成氧化层。经过曲线拟合和计算得出 MnSi 薄膜和 MnSi1.7 纳米线样品中被氧化 的比例分别为~53 %和64.9 % 。尽管如此，锰硅化合物的抗氧化能力仍强于锰团 簇，这可能是由于锰硅化合物氧化后形成了 SiO2 保护层或锰团簇具有较大的比 表面积导致的。 关键词：铁的硅化物，锰的硅化物，扫描隧道显微镜，X 射线光电子能谱，分 子束外延 万方数据 EPITAXIAL GROWTH AND XPS ANALYSIS OF IRON AND MANGANESE SILICIDES ON SILICON SURFACE ABSTRACT Iron and manganese silicides, with novel physical properties, are promising candidates in the re