太阳能电池制造工艺.pdf

太阳能电池制造工艺 主要内容 1.硅太阳能电池工作原理 2.太阳能电池硅材料 3.硅太阳能电池制造工艺 4.提高太阳能电池效率的途经 5.高效太阳能电池材料 6.高效太阳能电池结构 一、硅太阳能电池工作原理 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清 洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用 中；大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研 究领域，是其中最受瞩目的项目之一。 制作太阳能电池主 要是以半导体材料为基础， 其工作原理是利用光电材料 吸收光能后发生内光电效应， 将光能转换为电能。根据所 用材料的不同，太阳能电池 可分为：硅基太阳能电池和 薄膜电池，本章主要讲硅基 太阳能电池。 1．硅太阳能电池工作原理与结构 太阳能电池发电的原理主要是半导体的内光电效应，一 般的半导体主要结构如下： 图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子 旁边的四个电子。 当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时， 硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参照下图： 图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边 的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围 只有3个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空 穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形 成P 型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有 一个电子变得非常活跃，形成N型半导体。黄色的为磷原子核， 红色的为多余的电子。如下图。 当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴 （电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合 区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续 进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。 PN结的形成及工作原理 零偏 负偏 正偏 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电 场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电 场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。当光 电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表 面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于介带中 的束缚电子激发到导带(光生伏特效应），激发出的电子空穴对 在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负 载时就有一光生电流流过负载。 光 电 池 结 构 示 意 图 半导体的内光电效应 当光照射到半导体上时，光子将能量提供给电子，电子 将跃迁到更高的能态，在这些电子中，作为实际使用的光 电器件里可利用的电子有： （1 ）价带电子； （2 ）自由电子或空穴（Free Carrier ）； （3 ）存在于杂质能级上的电子。 太阳电池可利用的电子主要是价带电子。由价带电子得到 光的能量跃迁到导带的过程决定的光的吸收称为本征或固 有吸收。 太阳电池是将太阳能直接转换成电能的器件。它的基本构 造是由半导体的PN结组成。此外，异质结、肖特基势垒等 也可以得到较好的光电转换效率。 光生伏特效应 太阳电池能量转换的基础是结的光生伏特效应。当光照射到p － n结上时，产生电子一空穴对，在半导体内部结附近生成的载流子 没有被复合而到达空间电荷区，受内建电场的吸引，电子流入n 区，空穴流入p 区，结果使n 区储存了过剩的电子，p 区有过剩的空 穴。它们在pn结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除 了部分抵消势垒电场的作用外，还使p 区带正电，N 区带负电，在N 区和P 区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。此时， 如果将外电路短路，则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流 流过，这个电流称作短路电流；若将PN结两端开路，则由于电子 和空穴分别流入N 区和