第二章 集成电路制造工艺.pdf

第二章 集成电路制造工艺 1 本章课程安排 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 二、CMOS 电路特性 三、系统中各种延迟特性分析 2 本章课程安排 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 二、CMOS 电路特性 三、系统中各种延迟特性分析 3 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 本节内容安排 1. 集成电路制造工艺介绍 2. CMOS工艺简介 3. 以硅工艺为基础的集成电路生产制造流程 4. 集成电路制造工艺的新技术与新发展 4 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 半导体材料工艺的发展是集成电路制造工艺发展的基础。 1. 集成电路制造工艺介绍 1.1 硅（Si ）工艺生产技术（简称硅技术） a. 硅技术在超大规模集成电路的生产中占据主要地位。 硅是自然界中蕴藏最丰富的元素之一，约占地壳的25% ， 仅次于氧； 硅是目前人类研究最深入、了解最清楚的物质； 硅是现在人类提取的最纯材料，也是人类制造的最大单晶。 硅单晶——是最重要的集成电路衬底材料， 是制作复杂微电子器件的基础。 b. 在可预见的未来，迅速发展的硅技术将仍处主导地位。 5 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 1.1 硅工艺生产技术（续1 ） c. 以硅材料为基础的集成电路制造工艺划分 在硅工艺下一般可分出两支：双极（Bipolar ）工艺、 MOS （金属-氧化物-半导体）场效应工艺。 近年来为了适应高速大驱动和高密度低功耗ASIC与SoC设计的 需要，在双极工艺与MOS工艺之间又衍生出BiCMOS工艺。 6 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 1.1 硅工艺生产技术（续2 ） d. Bipolar工艺——最早的集成电路生产工艺 以有源晶体管为基础，以平面晶体管为基本单元。 工艺电路的特点： - 高速、高增益、低噪声、负载能力强和功耗大， - 适合中、小规模集成电路和模拟集成电路（如运放、 ADC和DAC等）； 双极工艺在完善与发展中有最明显的两方面变化： - 采用复合管的集成注入逻辑和集成肖特基逻辑结构改善了 双极集成产品的密度性能比，进而提高了集成度； - 在新型的BiCMOS工艺集成电路中，Bipolar工艺常依据其 负载能力强的特性，用作电路或芯片的I/O部分电路。 7 一、集成电路制造工艺与制造流程介绍 1.1 硅工艺生产技术（续3 ） e. MOS工艺 以有源场效应管（FET ）为基础，以MOS开关电路和MOS 放大电路为基本单元； 工艺电路的特点： - 结构简单、功耗低、电流电