第05章-双极型晶体管及相关器件(二).pptVIP

发射区和基区中的少数载流子浓度可写为 对n-p-n型晶体管，将 代入 可得 异质结双极型晶体管 因此，由于HBT发射区和基区半导体材料的不同，它们的禁带宽度差将对HBT的电流增益造成影响，且 其中NE和EB分别是发射区和基区的掺杂浓度， NC和NV分别是导带和价带底的有效状态密度，EgE是发射区半导体的禁带宽度，NC’、NV’和EgB则是基区半导体上相应的参数. 异质结双极型晶体管 大部分HBT的技术都是在AlxGa1-xAs/GaAs材料系统中发展的，右图是一个基本n-p-n型HBT结构。n型发射区是以宽禁带的AlxGa1-xAs组成，而p型基区是以禁带宽度较窄的GaAs组成，n型集电区和n型次集电区分别以低掺杂浓度和高掺杂浓度的GaAs组成。 为了形成欧姆接触，在发射区接触和砷化铝镓层之间加了一层高掺杂浓度的n型砷化镓。因为发射区和基区材料间具有很大的禁带宽度差，共射电流增益可以提到很高。而同质结的双极型晶体管并无禁带宽度差存在，必须将发射区和基区的掺杂浓度比提到很高，这是同质结与异质结双极型晶体管最基本的不同处。 基本HBT结构 异质结双极型晶体管 ΔEV增加了射基异质结处价带势垒的高度，此效应使得HBT可以使用较高掺杂浓度的基区，而同时维持极高的发射效率和电流