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* * * * * * 一、二极管的结构及类型 1.二极管的结构 PN结+管壳+引线 * 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 (c) 平面型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 (b) 面接触型 阴极 阳极 (d) 符号 D (a) 点接触型 1.二极管的结构 * 按 PN 结结构分:有点接触型和面接触型二极管。 点接触型管子中不允许通过较大的电流,因结电容小,可在高频下工作。 面接触型二极管 PN 结的面积大,允许流过的电流大,但只能在较低频率下工作。 按用途划分:有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 按半导体材料分:有硅二极管、锗二极管等。 2. 二极管的类型 * 在二极管的两端加上电压,测量流过管子的电流,则I = f (U )之间的关系曲线为伏安特性。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 硅管的伏安特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 二、二极管的伏安特性和等效电路 1.二极管的伏安特性 * 1)正向特性 当正向电压比较小时,正向电流很小,几乎为零。 相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关,硅管约 0.5 V 左右,锗管约 0.1 V 左右。 正向特性 死区电压 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 当正向电压超过死区电压后,随着电压的升高,正向电流迅速增大。 * 2)反向特性 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向特性 当电压超过零点几伏后,反向电流不随电压增加而增大,即饱和; 二极管加反向电压,反向电流很小; 如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电流会突然增大; 反向饱和电流 这种现象称击穿,对应电压叫反向击穿电压。 击穿并不意味管子损坏,若控制击穿电流,电压降低后,还可恢复正常。 击穿电压 U(BR) * 3)伏安特性表达式(二极管方程) IS :反向饱和电流 UT :温度的电压当量 在常温(300 K)下, UT ? 26 mV 二极管加反向电压,即 U 0,且 |U| UT ,则 I ? - IS。 二极管加正向电压,即 U 0,且 U UT ,则 ,可得 ,说明电流 I 与电压 U 基本上成指数关系。 * 结论: 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通,呈现很小的正向电阻,如同开关闭合;加反向电压时截止,呈现很大的反向电阻,如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管的电压与电流变化不呈线性关系,其内阻不是常数,所以二极管属于非线性器件。 * 2. 二极管的主要参数 1) 最大整流电流 IF 二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。 2)最高反向工作电压 UR 工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3)反向电流 IR 通常希望 IR 值愈小愈好。 4)最高工作频率 fM fM 值主要 决定于 PN 结结电容的大小。结电容愈大,二极管允许的最高工作频率愈低。 * 3. 二极管的等效电路 由伏安特性折线化得到等效电路 理想二极管 (b) 正向电压恒定的二极管 (c) 正向电压与电流呈线性关系 * 例1:电路如图所示,E1=7V,E2=5V,E3=6V。设二极管的导通电压Uon =0.6V, 不计正向电阻rd时,分别估算开关在位置1和位置2的输出电压UO的值。 解:当开关置于位置1时,二极管因加反向电压而处于截止状态,所以输出UO =E3 =6V。 当开关置于位置2时,二极管因加正向电压而处于导通状态,所以输出电压UO =E2 +Uon ≈(5+0.6)V=5.6V。 4. 二极管电路分析 * 例2 电路如图(a)所示,设二极管为理想二极管,且直流电压E=5V,交流电压ui =10sin?t V,即UIM ?E。试画出输出电压uo的波形。 解:当ui ?E?0,即ui ?E时,二极管截止,反向电流为零。所以,此时输出电压为uo =E。 当ui ?E?0,即ui ?E时,二极管导通,正向压降为零。所以,此时输出电压为uo =ui。故输出电压uo 的波形如图 (b)所示。 (a) (b) * 一种特殊的面接触
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