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结温是指管芯PN结的平均温度,用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 8) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 1.1.3 功率二极管的主要参数 7)最高工作结温TJM * 电力电子器件的损耗可分为4种:①通态损耗。由导通状态下流过的电流和器件上的电压降产生的功率损耗。②阻断态损耗。由阻断状态下器件承受的电压和流过器件的漏电流产生的功率损耗。③开关损耗。由器件开通和关断期间产生的功率损耗。④控制极损耗。由控制极的电流、电压引起的功率损耗。 * PN结的反向击穿,可分为三种类型:热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。 ① 热电击穿 当外加反向电压升高时,较大的反向电流引起热损耗,导致器件的结温升高,促使本征载流子浓度明显增加,使反向电流增长更快。形成强烈的正反馈,最后导致PN结击穿。 ② 隧道击穿(齐纳击穿) 如果PN结势垒区的电场很强,穿过禁带的电子很多,反向电流增长很快,从而引起了PN结击穿。 ③ 雪崩击穿 在反向高电压下,PN结势垒区的电场很强,载流子在强电场中得到大的动能,从而成为“热”载流子,“热”载流子与晶格原子相碰撞,使晶格原子价带内的电子被激发到导带,形成电子-空穴对。不断地发生碰撞,不断地产生第二、三、四…代电子-空穴对,使载流子成倍增加,从而引起了PN结击穿。大功率电力电子器件中,雪崩击穿是常见击穿现象。 第一章 电力半导体器件 1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3可关断晶闸管(GTO)、电力晶闸管(GTR) 1.4 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管 1.5 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护 1.0 电力电子器件 概述 1.0.1 电力电子器件—— 概念、分类、特征、损耗 1.0.2 应用电力电子器件的系统组成 1.0.3 电力电子器件的分类 1.0.1 电力电子器件 ——概念、分类、特征、损耗 1)概念: 主电路(Main Power Circuit) —电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。功率变换器即为通常所说的电力电子电路(也称主电路),它由电力电子器件构成。 电力电子器件(Power Electronic Device) —可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。 图1-1 电力电子装置示意图 1.0.1 电力电子器件 ——概念、分类、特征、损耗 2)分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料硅) 目前,除了在大功率高频微波电路中仍使用真空管(电真空器件)外,其余的电力电子电路均由功率半导体器件组成 3)同处理信息的电子器件相比的一般特征: 能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件,一般都要安装散热器。 主要损耗 1.0.1 电力电子器件 ——概念、分类、特征、损耗 通态损耗 断态损耗 开关损耗 开通损耗 关断损耗 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时,开关损耗可能成为 器件功率损耗的主要因素。 控制极损耗 1.0.2 应用电力电子器件的系统组成 图 电力电子器件在实际应用中的系统组成 电力电子电路 电力电子电路— 电力电子系统 由控制电路、驱动电路、 保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成 控 制 电 路 检测电路 驱动电路 R L 主电路 V 1 V 2 保护电路 在主电路和控制电路中附加一些电路,以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行 电气隔离 导通 主电路中 电力电子器件 关断 检测电路、驱动电路以外的电路 控制电路 由信息电路组成 控制电路 主电路 电力电子系统 检测电路 检测主电路或应用现场信号 通过驱动电路 控制 主电路 驱动电路 检测电路 控制电路 控制信号 电气隔离 电气隔离 电气隔离 电气隔离 电气隔离 保护电路 保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行 图 电力电子器件在实际应用中的系统组成 控 制 电 路 检测 电路 驱动 电路 R L 主电路 V 1 V 2 主电路端子 之间信号 导通 关断 电力电子器件 控制端 主电流端子(公共端)——驱动电路和主电路, 是主电路电流流出电力电子器件的端子 控 制 电 路 检测电路 驱动电路 R L 主电路 V 1 V 2 保护电路 电力半导体器件 是构成电力电子设备的核心,电力电子技术的基础。 作为开关元件
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