高频电路原理与分析.pptVIP

图9―9 MC3363组成框图 9.3 高频电路EDA 9.3.1 EDA技术及其发展 EDA技术的发展可分为三个阶段: 计算机辅助设计（CAD）阶段。 计算机辅助工程（CAE）阶段。 电子系统设计自动化（ESDA）阶段。 9.3.2 EDA技术的特征与EDA方法 EDA系统框架结构(Framework)是一套配置和使用EDA软件包的规范,目前主要的EDA系统都建立了框架结构,如Cadence公司的DesignFramework,Mentor公司的FalconFramework等,这些框架结构都遵守国际CFI组织(CADFrameworkInitiative)制定的统一技术标准。Framework能将来自不同EDA厂商的工具软件进行优化组合,集成在一个易于管理的统一的环境之下,而且还支持任务之间、设计师之间在整个产品开发过程中实现信息的传输与共享,这是并行工程和TopDown设计方法的实现基础。 《高频电路原理与分析》 第9章 高频电路的集成化与EDA 第9章 高频电路的集成化与EDA 9.1 高频电路的集成化 9.2 高频集成电路 9.3 高频电路EDA  9.1 高频电路的集成化 9.1.1 高频集成电路的类型 集成电路是为了完成某种电子电路功能,以特定的工艺在单独的基片之上或基片之内形成并互连有关元器件,从而构成的微型电子电路。 高频集成电路都可以归纳为以下几种类型: (1)按照频率来划分,有高频集成电路、甚高频集成电路和微波集成电路（MIC）等几种。 (2)与普通集成电路一样,高频集成电路可分为单片高频集成电路（MHIC）和混合高频集成电路（HHIC）。 (3)从功能或用途上来分,高频集成电路有高频通用集成电路和高频专用集成电路（HFASIC）两种。 9.1.2 高频电路的集成化技术 纷繁众多的高频集成电路,其实现方法和集成工艺除薄/厚膜技术等混合技术外,通常有以下几种: 1．传统硅（Si）技术 1958年美国得克萨斯仪器公司（TI）和仙童公司研制成功第一批集成电路,接着在1959年发明了制造硅平面晶体管的“平面工艺”,利用半导体平面工艺在硅片内制作元器件,并按电路要求在硅片表面制作互连导体,从而制成高密度平面化的集成电路,完善了集成电路的生产工艺。 2．砷化钾（GaAs）技术 以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用在微波电路中。砷化钾集成电路自1974年由HP公司首创以来,也都一直用在微波系统中。作为无线通信用高频模拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。 砷化钾MESFET的结构如图9―1所示,它是在一块半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长一层N型砷化钾层,在其两端分别引出源极和漏极,在两者之间引出栅极。对于砷化钾MESFET,栅长是一个决定最大工作频率（fmax）的关键参数。 图9―1 砷化钾MESFET的结构 首次出现于1980年的高电子迁移率晶体管（HEMT）可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗尽型的HEMT场效应管是在半绝缘的GaAs衬底上连续生长不掺杂或轻掺杂的GaAs、掺硅的n型AlxGa1-xAs层和掺硅的n型GaAs层,在AlxGa1-xAs层内形成耗尽层。再利用AlGaAs和GaAs电子亲和力之差,在未掺杂的GaAs的表面之下形成二次电子气层,如图9-2所示 图9―2 耗尽型的HEMT场效应管结构 另一种GaAs异质结器件GaAsHBT也越来越受关注,它属于改进型的双极晶体管,其发射极和基极被制作在不同材料的禁带中,如图9―3所示。 图9―3 GaAsHBT结构 硅锗技术的主要优点是工艺简单、低功耗、低成本、一致性好,频率特性介于传统硅器件和砷化钾器件之间。一种典型的SiGeHBT的电特性参数示于表9―1中。 表9―1 典型的SiGeHBT的电特性参数 9.1.3高频集成电路的发展趋势 1.高集成度（更细工艺） 集成电路发展的核心是集成度的提高。 集成度的提高依赖于工艺技术的提高和新的制造方法。21