第一章+半导体中的电子态.pptVIP

粒子的能量E和动量p与平面波的频率和波长 之间的关系为： * 式中： 称为波数， 为普朗克常数。 德布罗意平面波： 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 De Broglie关系 * 波函数的统计解释 假设波函数 用以表示粒子的状态，并以dW（x,y,z,t）表示时刻t、在点（x,y,z) 附近的体积元 内找到粒子的概率，则： * 薛定谔方程 薛定谔方程 拉普拉斯算符 薛定谔方程描述在势场 中粒子状态随时间的变化，也称微观粒子波动方程。只要知道势场的具体形式就可求解该方程得到粒子波函数的具体形式，从而得出粒子的运动状态和能量状态。 * 考虑势场 与时间t无关的情况，薛定谔方程的特解可以写成分离 变量的形式： 分离变量法可解得： 定态薛定谔方程 定态薛定谔方程 * 1、自由电子的波函数和能量 假设一个质量为 的电子在具有恒定势（设势场为0）的自由空间中 运动，在一维的情形下，电子运动遵循的薛定谔方程为： 这就是自由电子的波函数，表示一平行于x轴传播的平面波。 此偏微分方程的解为： 式中，称k为波矢 由关系式 给出, 设 * 所以，含时间的波函数表示为： 此式与德布罗意平面波式在一维情况下有完全相同的形式。 对比德布罗意关系，电子的动量和能量与波函数中的k、ω的关系为： 1、自由电子的波函数和能量 * 1、自由电子波函数和能量 自由电子能量与波矢的关系图 2、晶体中电子的波函数和能量 2、晶体中电子的波函数和能量 E-k关系 晶体中电子处在不同的k状态,具有不同的能量E(k) 由于周期势场的微扰,在布里渊区边界处,能量出现不连 续,形成能带. 3、布里渊区和能带 晶体中电子的能量E和波失k的关系曲线基本和自由电子的关系曲线一样，但在 时，能量出现不连续，形成了一系列的允带和禁带。 每一个布里渊区对应于一个允带 禁带出现在 处，即出现在布里渊区边界上 E(k)=E(k+n2π/a) E(k)=E(-k) (a) E(k)和k的关系; (b) 能带; (c) 简约布里渊区 图 E(k)与k 的关系 半导体中的电子分布 能带 允带 禁带 允带 允带 禁带 * 1.3 导体、半导体、绝缘体的能带 * 1.3.1 半导体中电子的运动、有效质量 1、半导体中E(k)与k的关系 要掌握能带结构，必须确定E-k的关系（色散关系） 半导体中起作用的常常是接近于能带底部或顶部的电子，因此只要掌握这些能带极值附近的色散关系即可。 假设E(0)为带顶或带底，将E(k)在 k=0附近展成泰勒级数： 由（3）式可以见到： (a) 对于能带顶的情形，由于E(k)E(0),故 mn*0; (b) 对于能带底的情形，由于E(k) E(0),故mn*0. mn*：电子有效质量 2. 半导体中电子的速度 对惯性质量为m0、速度为vx的一维自由电子，其动量px 和能 量E存在以下关系： 而由德布罗意假设，表征波动性的量与表征粒子性的量之间存 在以下关系： 因此： 1.3.1 半导体中电子的运动、有效质量 不难看出： 3、半导体中电子的加速度 引进有效质量的概念后，电子在外电场作用下的表现和自由电子相似，都符合牛顿第二定律描述。 * 1.3.2 导体、半导体、绝缘体的区别 满带 所有能级全部被电子填充的能带 不满带 部分能级被电子填充的能带 1.3.2 导体、半导体、绝缘体的区别 1.3.2 导体、半导体、绝缘体的区别 未满价带情形 * 空穴 把满带中的空状态假想为的一个带正电的“粒子”。 在电场的作用下，空穴也和满带中的其它电子一同运动，其加速度应和空状态上有一个电子时的加速度一样，即： 令空穴的有效质量为： 则空穴在电场下的加速度为 思考：从有效质量、电量、速度、能量、动量来比较电子和其相应位置的空穴。 1.3.2 导体、半导体、绝缘体的区别 * 第一章 半导体中的电子状态  * 本章要点 了解波函数和薛定谔方程的意义。 掌握晶态半导体中能带理论的处理方法和过程。 理解能带的特点，能带的杂化。 理解半导体、绝缘体、半导体能带结构的区别。 晶体中电子运动的经典描述－－有效质量概念。 了解晶体硅回旋共振现象及其机理。 熟悉典型半导体材料的能带结构的异同。 * 1.1 半导体的晶体结构和结合性质 按组成分： 无机半导体：元素、化合物 有机半导