电力电子技术_王兆安第五版_第2章.pptVIP

4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位，利用8KV/3.5KA光控晶闸管构成的300MV.A容量的电力电子装置是目前最大的电力电子装置。 思考： 1 下图为一晶闸管调试电路，以检测晶闸管工作后输出电压是否正确，调试中发现Rd断开电压表读数不正常，而Rd接通读数正常，请分析原因。 u2 Q Ud v Rd 2 下图中，要使晶闸管VT导通，门极触发信号最小要维持多长时间？ 已知：E=50V，R=0.5Ω, L=0.5H, IH=10mA, IL=15mA。 3 型号为KP100-3、IH=4mA，晶闸管在下图中应用是否合理？为什么？（不考虑裕量） 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，耐压耐流可达6KV和6KA，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 1. GTO的结构和工作原理 结构： 工作原理： ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断。开通原理和SCR一样。 设计时?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。 iB2+ic2=ik ic2=α2．ik ik=iB2/(1- α2)=iA iB2 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： (1) 设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。 (3) 多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间 距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 (2) 导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 2. GTO的主要参数 —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s。 —— 一般指储存时间和下降时间之和，GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s。 关断时间toff 开通时间ton 3) 最大可关断阳极电流IATO 电流关断增益?off ——GTO额定电流。 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GM ATO off I I = β 术语用法： 电力晶体管（GTR，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，耐压和耐流可达1.5KV,1KA, 可在10KHZ以内开关频率下工作。现商品化的GTR耐压、耐流不超过1200V，800A。 2.4.2 电力晶体管 1. GTR的结构和工作原理 开通和关断可由基极电流来控制，故称为全控型器件和电流型驱动器件。 开通条件：Uce正偏，提供基极电流。 关断：I b小于等于零。 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo（基极开路时，集电极和发射极间的击穿电压）低得多。 第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1 电力电子器件的概述 电力电子器件（power electronic device）——可