电力电子课程设计_IGBT单相电压型全桥无源逆变电路(阻.docVIP

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  • 2019-07-03 发布于江西
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电力电子课程设计_IGBT单相电压型全桥无源逆变电路(阻.doc

电子技术课程设计说明书 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 3 页 1 引言 本次课程设计的题目是IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计(阻感负载),根据电力电子技术的相关知识,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,与整流电路相比较,把直流电变成交流电的电路成为逆变电路。当交流侧接在电网上,称为有源逆变;当交流侧直接和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。 2 工作原理概论 2. 1 IGBT的简述 绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor),英文简写为IGBT。它是一种典型的全控器件。它综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。现已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。IGBT是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。它可以看成是一个晶体管的基极通过电阻与MOSFET相连接所构成的一种器件。其等效电路和电气符号如下: 图2-1 IGBT等效电路和电气图形符号 它的开通和关断是由栅极和发射极间的电压 QUOTE 所决定的。当UGE为正且大于开启电压UGE时,MOSFET内形成沟道,并为晶体管提供基极电流进而是IGBT导通。由于前面提到的电导调制效应,使得电阻 QUOTE 减小,这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当山脊与发射极

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