第三讲 SIMS 有关金属材料的分析手段.pptVIP

静态SIMS谱——高纯Si中杂质分析时O2+的使用 O2+使离子的信号强度增加 100-1000倍，这使分析高纯Si中ppm量级的Al杂质成为可能 ___ SIMS动态谱——Si中B搀杂的分布 10-16原子/cm3的搀杂~ 0.1ppm，它不能用AES、XPS技术所分析。但需用离子注入方法制备标样 SIMS动态谱 ——硫酸浸蚀后，Ca-B-Al硅酸盐的SIMS谱 Ar+离子束溅射，但样品中有O Ca、Al、Na、F等离子强度有变化，而Si强度变化不大。这表明，酸对某些氧化物有溶解作用 H 的曲线表明 H 进入了样品表面 ← 酸蚀深度→ ← 酸蚀深度→ SIMS动态谱：硅酸盐/Si薄膜的成分剖面  ——在界面处Si-SIMS强度的变化 界面处Si强度有变，但不是浓度效应，而是界面处氧的浓度差对信号强度有极大影响 O 用同位素SIMS研究汽车油漆的退化 O18气氛中老化后，中间层的O18浓度大增，表明其老化速度高 油漆的层状结构示意图 SIMS动态谱 ——GaAs中?-Be、 Si搀杂的剖面图问题：谱线的高度逐渐降低、宽度逐渐增加。为什么？ 问题： 为什么动态SIMS谱的信号强度逐渐降低、峰宽逐渐增宽？（即：什么因素影响了SIMS、AES、XPS中溅射法分析成分深度分布时的深度分辨率？） 影响SIMS分析深度分辨率的因素 首要的因素： 1.离子的逃逸深度（一般是3-5原子层，?1nm） 2.动态的溅射过程（溅射速度越高，分辨率越低） 但，其他的因素还包括 3.非均匀的溅射效应 4.边缘处二次离子对信号的贡献 5.中性粒子的溅射效应 6.界面的逐渐粗糙化 7.界面元素混杂（注入-扩散）与择优溅射 影响SIMS分析深度分辨率的因素 非均匀的溅射 边缘处二次离子的溅射 中性粒子导致的溅射 界面粗糙化 溅射造成界面元素的混杂、择优溅射 最后的两项是无法从仪器设计的角度加以避免的 静、动态SIMS成分分析模式指标的比较 ——————————————————————— 指标 静态SIMS 动态SIMS ——————————————————————— 残 余 气 压(Torr) 10-9-10-10 10-7 离 子 束 流(A/cm2) 10-9-10-6 10-5-10-2 溅 射 速 度(原子层/s) 10-4 ?1 探 测 极 限(ppm) 10 1 分 辨 本 领(?m) 0.1 0.1 深度分辨本领（nm） - 2-30 分析深度范围 数原子层 10?m量级 ——————————————————————— SIMS的第三种分析模式——两种成象原理 (a) 离子光学成象(分辨率1?m) (b) 扫描成象(分辨率20nm)，目前已占了优势 SIMS成分象：AgBr晶粒表面含F气体分子的吸附 (a)SEM (b)Ag+ (c) F- (10*10 ?m) 只与表面成分有关，相当于AEM SIMS成分象：Al2O3陶瓷中 La的分布(助烧结元素La+  集中于晶界) (20*20 ?m) 汽车钢板漆底处的缺陷的SEM象 SIMS成分象：汽车钢板漆底处的缺陷的SIMS象 (a) Fe + 离子象 (b) Zn + 离子象 (c) C + 离子象  SIMS成分象： 钢中H的成分象 （a）Ni基合金 （b）马氏体不锈钢 (400*400 ?m) 与AEM不同 早期的火花放电质谱 (SSMS, spark source MS) R ? (m/q)1/2 电场能量过滤，磁场质量分析，胶片记录 SSMS谱仪的离化源 (spark source) a. 样品自身间放电 b. 针状电极对样品放电 要求样品导电(或混入导电粉末C或Ag) 不锈钢的SSMS分析结果 对主元素进行了分析 SSMS：UO2中微量杂质的分析 对微量元素进行了分析分析的准确程度达到0.1-1.0ppm数量级 O SSMS：从H到U各元素的检测限(ppm) 从H到U，且多数元素的检测限为ppb量级 SSMS的主要技术指标（1）质量分辨本领 R = m / ?m, 可达 104 （2）探测极限