LED芯片制造(刘军林).pptVIP

去边 （2）SiO2掩膜光刻 去边 （3）去边腐蚀 去边 （4）去Pt (P型接触层) 去边 （5）去SiO2 钝化 （1）SiN生长 钝化 （2）SiN光刻 N电极蒸发（Al） LED 芯片制造 刘军林 LED基础知识 LED－－Light Emitting Diode－－发光二极管 GaN基LED GaN材料的外延生长 衬底材料：SiC；蓝宝石（AL2O3）；Si 材料 晶格常数(nm) 热膨胀系数（10-6.K-1） GaN 0.3189 5.59 Al2O3 0.4758 7.5 SiC 0.308 4.2 Si 0.543 3.59 Si衬底GaN基LED的芯片制造 外延片――P电极蒸发合金――粘结层蒸发―― bonding―― 去Si衬底――去边――钝化―― N电极蒸发――N电极光刻－－点测－－划片－－自动分选－－手动分选 芯片制造的基础知识 1.蒸发 蒸发是利用真空泵将淀积室抽成“真空”，然后用高熔点材料制成的坩埚将淀积材料加热、蒸发、淀积于芯片上。制膜过程包括下述几个物理阶段：(1)淀积材料蒸发或升华为气态，(2)原子(或分子)从蒸发源输运到芯片上，(3)蒸气粒子在基片上淀积并重新排列形成薄膜。 目前常用的蒸发有两种：电子束蒸发和热阻蒸发 （1）电子束蒸发 （2）热阻蒸发 2.光刻 光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶