高频高介agnbta西olt3gt陶瓷的合成与改性研究.docx

中文摘要Ag(Nb，Ta)03是一类高频高介的陶瓷材料，但是该材料在铌含量较高时，温 中文摘要 Ag(Nb，Ta)03是一类高频高介的陶瓷材料，但是该材料在铌含量较高时，温 度系数和损耗较大；而钽含量较高时，难以烧结成瓷。本论文通过优化合成工艺 路线得到了性能优良的Ag(Nb，Ta)03固溶体，然后通过B位Nb／Ta比及非化学计量 比、相似离子对A位Ag+离子或B位Nb≯门1a”离子取代以及添加助剂对其结构、微 观形貌及介电性能的影响，揭示了一些ANT改性的基本规律，得到了可低温度烧 结、介电性能优异的Ag(Nb，Ta)03基陶瓷材料。最后，进行了非常规合成法，如 半化学法、晶种法等，制备Ag(Nb，Ta)03的尝试。 结果表明，将Nb205、Ta205经高温(1200C)煅烧，然后加入相应量的A920, 再经950C预烧的工艺为制备Ag(Nb，Ta)03陶瓷的最佳工艺。随Ta含量(x)的增 加，Ag(Nbl．x1ax)03的烧结温度越来越高：介电常数(￡)先增大后减小(xI=o．4时， 有￡。【-516．8)，介电损耗(tan8)单调减小，温度系数(魄)向负的方向移动。B 位(Nb，Ta)少量缺位可以促进ANT烧结；而(Nb，Ta)过量会导致ANT样品半导化。 与Ag+半径相近、价态相同的Na+离子的A位取代对Ag(Nbo sTa02)03介电性能的改 善效果最佳，当Na+离子取代量x=0．I时，A91．xNa。(Nb08Ta02)03有￡。值558．5， tan6m。值0．0017。与Nb5+门’a”离子半径相近、价态相同的适lSb(x_0．08)和Mn”、 w”复合(x9．16)取代B位Nb57门h’离子，可以有效降低Ag(Nbo sTa02)03烧结温度， 增大介电常数8，减小介电损耗tang，Sb取代还可以明显减小温度系数；于1040C 烧结的Ag(Nb，Ta)1．，Sbx03(x-O．08)样品有最佳介电性能：e=982．4，tanS-20．003l， 盱163．1ppm／C；Ag(Nbo sTa02)1．；(Mn，w)x03(x=o．04，0．08，O．12，O．16)样品的介电 损耗值十分相近，在O．00156加．00179范围内，说明少量(Mn，w)复合取代就可以 减／]、Ag(Nb0 sTa02)03的损耗值。低熔点助剂的添加均可以通过液相烧结作用促进 ANT烧结，Sb205和Bi203的作用最明显，使ANT的损耗明显减小，介电常数增大， 温度系数近于零；由于稀土元素(Y、Cc、Oy和Gd)的锥子受到j，印6壳层 的屏蔽，稀土元素掺杂对ANT介电性能无明显影响。由于Ag+离子强的还原性， 水热法和熔盐法难以制备出符合化学计量比的ANT，而半化学法、晶种法可以改 善ANT的烧结和介电性能。 关键词：高介陶瓷；Ag(Nb，Ta)03：助剂；取代；合成 ABSTRACTAg(Nb，Ta)03 ABSTRACT Ag(Nb，Ta)03 is a kind of hi【gh frequency ceramics with higlI permittivity． However,its temperature coefficient ofpermittivity and dielectric loss are large when Nb content is high，and it is dimcult to be sintered when Ta content is higll．In this study,Ag(Nb，Ta)03 ceramics was synthesized through the optimized processing route, and the effects of the Nb爪ratio at B·site and non stoichiometry．effects of oxide additives and the substitution ofsimilar cations f．or Ag+at A．site or Nb，、Ta”at B．site on its erysml structure，microstructure end dielectric properties were also investigated． Some principles used for the modification ofAg(Nb，Ta)03 ceramics were suggested． Ag(Nb，Ta)03-based ceramics with good dielectric properties sintered at lower temperature wer