第六章 内存储器接口.pptVIP

图6.6 EPROM 27256引脚图 退 出 图6.7 E2PROM存储元结构示意图 退 出 图6.8 NMC98C64A引脚图 退 出 图6.9 6.10 退 出 图6.9 6.10 退 出 图6.11 部分地址译码连接图 退 出 图6.12 74LS138引脚图 退 出 表6.1 74 LS138真值表 退 出 INPUTS OUTPUTS ENABLE SELECT G1 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 ? H ? ? ? H H H H H H H H L ? ? ? ? H H H H H H H H H L L L L L H H H H H H H H L L L H H L H H H H H H H L L H L H H L H H H H H H L L H H H H H L H H H H H L H L L H H H H L H H H H L H L H H H H H H L H H H L H H L H H H H H H L H H L H H H H H H H H H H L *G2=G2A+G2B H=high level, L=low level, X=irrelevant 退 出 图6.13 74LS138 作为译码器件的存储器连接图 图6.14 用PRAM译码的存储器连接图 退 出 第六章 内存储器接口（6学时） 第四节 16位、32位及64位机存 储器系统 退 出 第一节 内存储器件(2学时) ? 知 识 概 述 ? 第二节 地址译码 (2学时) 第三节 内存储器扩展技术 (2学时) 第一节 内存储器件 6.1.1 内存储器概述 退 出 1.存储器有两种基本操作—读和写。 2. 所有的存储芯片都设有地址引脚、数据引脚、读、写 控制脚及片选脚。 6.1.2 内存储器的分类 退 出 内存储器 ROM 双极RAM MOS型RAM 掩模式ROM 可编程的ROM 可擦除PROM RAM SRAM DRAM EPROM EEROM 6.1.2 一、随机存取存储器RAM 1. 双极型RAM 双极型RAM的主要特点： 存取时间短，通常为几纳秒到几十纳秒； 其集成度低、功耗大，而且价格也较高。 2. MOS型RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为SRAM和DRAM。 退 出 6.1.2 二、只读存储器ROM 1. 掩模式只读存储器 这种芯片存储的信息稳定，成本最低。适用于存放一 些可批量生产的固定不变的程序或数据。 2. 可编程ROM 用户可以读出其内容，但再也无法改变它的内容。 3. 可擦除的PROM 可擦除的PROM芯片因其擦除的方式不同可分为两类。 （1）一是通过是紫外线照射来擦除，这种用紫外线擦除 的PROM称为EPROM （2）另外一种是通过电的方法来擦除，这种PROM称为EEPROM芯片内容擦除后仍可以重新对它进行编程，写入新的内容。擦除和重新编程都可以多次进行。 退 出 6.1.3 存储器芯片的主要技术指标 1. 存储容量 存储器芯片的存储容量用“存储单元个数×每存储单元的位数”来表示。当计算机的内存确定后，选用容量大的芯片则可以少用几片，这样不仅使电路连接简单，而且功耗也可以降低。 2. 存取时间和存取周期 存取时间又称存储器访问时间，即启动一次存储器操作（读或写）到完成该操作所需要的时间。CPU在读写存储器时，其读写时间必须大于存储器芯片的额定存取时间。如果不能满足这一点，微型机则无法正常工作。 存取周期是连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。若令存取时间为tA，存取周期为TC，则二者的关系为TC≥tA。 退 出 6.1.3 3. 可靠性 目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间约为5×l06～l×108小时左右。 4. 功耗 使用功耗低的存储器芯片构成存储系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存储系统的可靠性。 退 出 6.1.4 随机存取存储器的存储元及外部特性 一、静态存储器 1. SRAM的存储元 静态RAM的基本存储电路（即存储元）一般是由6个MOS管组成的双稳态电路，